SEZ彰顯DA VINCI平臺的雙面工藝功能

與領(lǐng)先的內(nèi)存器件制造商協(xié)同努力，優(yōu)化了雙面模塊，
實現(xiàn)了同步的300-mm單晶圓正面和背面處理
者SEZ （瑟思）集團（瑞士股票交易市場SWX交易代碼：SEZN）宣布，其旗艦產(chǎn)品Da Vinci家族系列喜添新丁。旨在進一步改善DRAM制造商擁有成本（CoO）的DV-38DS 產(chǎn)品以八個雙面處理模塊取代了SEZ 歷經(jīng)考驗的300-mm DV-38機臺中的八個標(biāo)準反應(yīng)室，從而確保了同步的、高產(chǎn)能的晶圓正面聚合物以及背面有機物/粒子的剝離。SEZ通過與全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商緊密合作，優(yōu)化了雙面功能，進而在最初的工藝階段獲得了卓越的晶圓均一性。

在去離子水之后，通過對晶圓的雙面實施稀釋過氧化硫+（DSP+） 化學(xué)試劑，雙面模塊幫助客戶免去了執(zhí)行多個單獨步驟的需求，或使用沉浸（批式工藝流程）設(shè)備的需求。事實上，通過在Da Vinci平臺上增加這一工藝功能，消除了延遲問題，提供了堪與批式系統(tǒng)相媲美的功能，不管客戶的應(yīng)用中是否需要，永遠能夠?qū)崿F(xiàn)“自由的”背面清洗。

當(dāng)前，隨著存儲器件對清洗的需求日益緊迫，雙面清洗正逐步突顯其重要意義，然而，批式工具無法實現(xiàn)與SEZ單晶圓濕式旋轉(zhuǎn)處理水平相當(dāng)?shù)臒o損傷、高質(zhì)量的結(jié)果。一般而言，DRAM結(jié)構(gòu)形成會導(dǎo)致一些需要更進一步清洗的殘留物，特別是對于日益緊縮的器件幾何拓撲結(jié)構(gòu)。使用一種酸性試劑解決方案同時處理正面和背面，諸如DSP+（不會產(chǎn)生與堿性的基于溶解的聚合物去除過程相同的清洗問題），在滿足內(nèi)存器件嚴格的交付窗口和高量產(chǎn)需求的同時，有效去除了這些殘留物。 

來自SEZ執(zhí)行副總裁兼首席執(zhí)行官Kurt Lackenbucher 的評論表明，若干因素促進了我們在產(chǎn)品功能集合中增加這一重要的新功能。Lackenbucher 表示：“我們的Da Vinci工具實現(xiàn)了批式水平的產(chǎn)能，而且更好、更徹底、不存在受損線路，因此，在Da Vinci平臺中增加這一功能就是一個自然的發(fā)展?！彼M一步強調(diào)說：“新功能同時也表明了我們在諸如DSP+等先進化學(xué)試劑應(yīng)用的廣泛經(jīng)驗，有效降低了量產(chǎn)DRAM制造的CoO。更重要的是，它是我們致力于與客戶保持緊密的合作伙伴關(guān)系的有力佐證。這些歷經(jīng)市場考驗的努力是公司承諾的核心組成部分，賦予了客戶有機平衡新技術(shù)的能力，如SEZ Da Vinci平臺的雙面模塊。”

 
SEZ 掀開DA VINCI平臺雙面模塊的神秘面紗…………………………………………..Page 2 of 2
    
SEZ的 Da Vinci 系列是業(yè)界首個單晶圓濕式處理解決方案，面向90-nm以及更小技術(shù)標(biāo)準制造過程中高量產(chǎn)的聚合物去除以及背面蝕刻和清洗。通過與關(guān)鍵客戶的緊密協(xié)作開發(fā)，Da Vinci 工具旨在幫助芯片制造商們滿足他們在超深亞微米時代的CoO和及時面市目標(biāo)。單晶圓平臺配備了面向200-mm和300-mm晶圓制造的隨機攜帶的化學(xué)試劑、一個先進的用戶界面以及一套先進的系統(tǒng)。

Da Vinci 平臺誕生于2003年，已經(jīng)實現(xiàn)了SEZ集團有史以來最快的市場接受速度，同時也是設(shè)備行業(yè)最快被引進的產(chǎn)品之一。目前，Da Vinci系統(tǒng)的銷售收入已經(jīng)占到SEZ設(shè)備總收入的60%。迅速的部署促進了存儲器件細分市場由批式處理應(yīng)用向單晶圓濕式清洗技術(shù)應(yīng)用的變遷。更為重要的是，大型的存儲芯片供應(yīng)商已經(jīng)完成了這一轉(zhuǎn)換,為存儲細分市場在更多的前段工藝過程（FEOL）率先采用單晶圓解決方案提供了重要的動力。