宏力與力旺擴(kuò)大合作開發(fā)多元解決方案與先進(jìn)工藝

　　晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布，雙方透過共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái)，進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍，開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)特開發(fā)的單次可編程OTP (NeoBit)，與多次可編程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技術(shù)，將全面導(dǎo)入宏力半導(dǎo)體的工藝平臺(tái)，宏力半導(dǎo)體并將投入OTP與MTP知識(shí)產(chǎn)權(quán)(Intellectual Patent, IP)的設(shè)計(jì)服務(wù)，以提供客戶全方位的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案，將可藉由低成本、高效能的優(yōu)勢，服務(wù)微控制器(MCU)與消費(fèi)性電子客戶，共同開發(fā)全球市場。

　　宏力半導(dǎo)體與力旺電子自2005年起即于OTP工藝平臺(tái)展開合作，近期雙方成功推出的0.18微米3.3V/5V低成本、高效能OTP工藝平臺(tái)已有數(shù)十項(xiàng)產(chǎn)品相繼投入量產(chǎn)。此次擴(kuò)展合作范圍，除包括原有的OTP工藝平臺(tái)，更擴(kuò)大倒入至MTP領(lǐng)域，預(yù)計(jì)將能以更完整的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)，強(qiáng)化技術(shù)服務(wù)支援廣度，滿足更多不同客戶需求。

　　宏力半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展與戰(zhàn)略暨法務(wù)單位副總裁傅城博士表示：“結(jié)合力旺電子卓越的技術(shù)與服務(wù)支援能力，宏力半導(dǎo)體將能提供客戶極具競爭優(yōu)勢的低成本嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)，包括OTP與MTP技術(shù)，相信能為客戶進(jìn)一步降低制造與研發(fā)成本，加速產(chǎn)品上市時(shí)間。展望未來，宏力半導(dǎo)體將持續(xù)發(fā)展高附加價(jià)值的差異化工藝，協(xié)助客戶在微控制器與消費(fèi)性電子市場中掌握制勝先機(jī)。”

　　力旺電子總經(jīng)理沈士杰博士表示：“力旺電子非常榮幸能與宏力半導(dǎo)體展開更深入的合作，使力旺電子的單次可編程OTP (NeoBit)，與多次可編程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技術(shù)，能夠全方位導(dǎo)入宏力半導(dǎo)體的各項(xiàng)工藝平臺(tái)，再加上宏力半導(dǎo)體在NVM IP設(shè)計(jì)服務(wù)工作的投入，為客戶帶來更具競爭性的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案，未來雙方也將持續(xù)緊密合作，以提供市場更具成本效益且性能卓越的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器平臺(tái)。”

　　目前宏力半導(dǎo)體與力旺電子合作的0.18微米邏輯與高壓OTP工藝平臺(tái)已完成建置，并已進(jìn)入量產(chǎn)階段多年;0.13微米OTP工藝平臺(tái)預(yù)計(jì)于2011年底通過可靠性驗(yàn)證;0.18微米的MTP工藝平臺(tái)則預(yù)計(jì)于2012年Q1通過可靠性驗(yàn)證，屆時(shí)可提供更加豐富的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP組合，進(jìn)而使應(yīng)用產(chǎn)品端客戶進(jìn)一步受惠。