富士通半導(dǎo)體與SuVolta攜手合作
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本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/126732.htm
圖2. 576k SRAM良率
總結(jié)與未來計劃
DDC晶體管的工藝流程已經(jīng)成功建立。所制造的DDC晶體管顯示VT波動比基準(zhǔn)流程改善了50%，并且產(chǎn)出在0.425V電壓下仍能運作的SRAM，充分證明了DDC晶體管有能力將供應(yīng)電壓降低到0.4V左右。
富士通半導(dǎo)體將發(fā)展這項技術(shù)并積極回應(yīng)客戶在消費電子產(chǎn)品，移動設(shè)備及其他領(lǐng)域?qū)τ诘凸?低電壓運行的要求。
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