富士通半導體與SuVolta攜手合作 作者: 時間:2011-12-07 來源:電子產品世界 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/126732.htm 圖2. 576k SRAM良率 總結與未來計劃 DDC晶體管的工藝流程已經成功建立。所制造的DDC晶體管顯示VT波動比基準流程改善了50%,并且產出在0.425V電壓下仍能運作的SRAM,充分證明了DDC晶體管有能力將供應電壓降低到0.4V左右。 富士通半導體將發(fā)展這項技術并積極回應客戶在消費電子產品,移動設備及其他領域對于低功耗/低電壓運行的要求。 上一頁 1 2 下一頁
評論