半導體制程技術邁入3D 2013年可視為量產元年

　　時序即將進入2012年，半導體產業(yè)技術持續(xù)進行變革，其中3DIC便為未來芯片發(fā)展趨勢，將促使供應鏈加速投入3DIC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認為制程技術將邁入3D下，勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導體業(yè)者預期3DIC有機會于2013年出現(xiàn)大量生產的情況下，預估2013年也可視為是3DIC量產元年。

　　3DIC為未來芯片發(fā)展趨勢，其全新架構帶來極大改變，英特爾即認為，制程技術將邁入3D，未來勢必激勵技術創(chuàng)新。英特爾實驗室日前便宣布與工研院合作，共同合作開發(fā)3DIC架構且具低功耗特性的內存技術，此一技術未來將應用在Ultrabook、平板計算機、智能型手機等行動裝置，以及百萬兆級(Exascale)與超大云端數(shù)據(jù)中心(CloudMega-DataCenters)。

　　工研院認為，英特爾擁有多項技術專利，與工研院3DIC研發(fā)基礎相互結合，應可使臺灣產業(yè)關鍵自主技術，進一步帶動相關產業(yè)鏈發(fā)展。

　　封測業(yè)界認為，近期半導體供應鏈在投入3DIC研發(fā)方面有加速的現(xiàn)象，很多廠商都加入研發(fā)的供應鏈中，包括晶圓廠、封測廠等，在3DIC的研發(fā)費用比2010年增加許多，這對發(fā)展3D產業(yè)是好事，預測3DIC應可望于2013年出現(xiàn)大量生產的情況，應可視為3DIC的量產元年。

　　日月光指出，在邏輯與內存芯片接合的接口標準即WideI/OMemoryBus，已于9月底塵埃落定，加入的半導體成員達上百家，如此將有助于加快廠商開發(fā)時程，促使3DIC盡早展開量產。

　　力成2011年完成研發(fā)中心及業(yè)務部門組織的改造，并且于新竹科學園區(qū)建立晶圓級封裝、3DIC先進制程及產品研發(fā)的實驗工廠，同時也開始興建3DIC先進制程量產工廠。該公司董事長蔡篤恭認為，TSV等3DIC將于2013年量產。