飛兆開發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊系列

　　新能源標準以及針對刀片式服務(wù)器、高性能筆記本電腦、游戲主機和負載點(point-of-load)模塊的新系統(tǒng)規(guī)范，正在推動業(yè)界對更高效率、更大電流、更高開關(guān)頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業(yè)發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)系列。

　　FDMF68xx系列經(jīng)設(shè)計能夠降低輸出感量和減少輸出電容器數(shù)目，與普通分立器件解決方案相比，該系列能夠節(jié)省多達50%的線路板空間，并提高效率，以期滿足新能源標準要求。使用飛兆半導(dǎo)體的高性能PowerTrench^® MOSFET技術(shù)，FDMF68xx系列能夠顯著減少開關(guān)振鈴(switch ringing)，省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路。

　　Gen III DrMOS MCM系列能夠支持數(shù)字和模擬PWM控制器的3.3V和5V三態(tài)PWM輸入電壓，30V器件選項使得DrMOS能夠適應(yīng)筆記本電腦或UltraBook^TM 電源系統(tǒng)的要求。Gen III DrMOS系列在1MHz以上開關(guān)頻率下提供更高的效率，更高的最大負載電流和功率密度，該系列器件采用6x6mm² PQFN封裝，能夠達到效率標準要求并提供每相高達60A的電流?！　?/p>

　　特性和優(yōu)勢

• 峰值效率達93%; 30A效率達91%;500KHz頻率，12VIN，1VOUT
• 峰值效率達90%; 30A效率達88%;1MHz頻率，12VIN，1VOUT
• 大電流處理能力：結(jié)溫100°C時60A
• 能夠達到1.5MHz的開關(guān)頻率
• 省去典型設(shè)計中的散熱器

　　飛兆半導(dǎo)體Genernation III DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)，以應(yīng)對現(xiàn)今設(shè)計所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。Genernation III DrMOS器件是飛兆半導(dǎo)體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分，能夠在功率敏感應(yīng)用中實現(xiàn)最大節(jié)能。