飛兆為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)最佳功率密度并節(jié)省線路板空間

　　在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業(yè)界最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗，能夠滿足這些需求。

　　FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench  技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低R_DS(ON) 的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)、高效負(fù)載開(kāi)關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計(jì)人員使用FDMC8010器件，能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mm x 6mm減小為3.3mm x 3.3mm，節(jié)省66%的MOSFET占位面積?！　?/p>

　　在隔離型1/16^th brick DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，Power 33 MOSFET的最大R_DS(ON)僅為1.3m?，與具有同等占位面積的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導(dǎo)損耗，從而提高散熱效率多達(dá)25%。

　　特性和優(yōu)勢(shì)
　　· 高性能技術(shù)，具有業(yè)界最佳R_DS(ON)，最大僅為1.3 m?
　　· 3.3mm x 3.3mm行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸，PQFN，節(jié)省線路板空間
　　· FDMC8010具有更低的傳導(dǎo)損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)比競(jìng)爭(zhēng)解決方案更高的功率密度和更高的效率。
　　· 無(wú)鉛RoHS封裝

　　新增PowerTrench 器件豐富了飛兆半導(dǎo)體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實(shí)現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。