安森美半導(dǎo)體推出高性能場截止型IGBT

　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT)，目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)電機(jī)控制及消費(fèi)類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案，適合多種要求嚴(yán)格的應(yīng)用，包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應(yīng)用。

　　能源價(jià)格不斷上升及圍繞碳排放的環(huán)保因素，持續(xù)帶動更高性能功率分立元器件的需求，尤其是在大功率電磁感應(yīng)及變頻器的應(yīng)用。這些新的額定電壓1,200伏(V)的IGBT采用深溝槽技術(shù)及先進(jìn)的晶圓薄化及加工處理技術(shù)，提供極低的關(guān)閉損耗，同時(shí)在導(dǎo)通期間維持低通態(tài)電壓，因而提供更低的開關(guān)損耗及導(dǎo)電損耗。這些器件提供15安培(A)、20 A及25 A額定電流等不同選擇，且與極低正向壓降及軟恢復(fù)快速整流器組合封裝，符合客戶對高能效的嚴(yán)格要求，同時(shí)為他們提供高空間利用率的完整方案。

　　安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說：“安森美半導(dǎo)體為汽車應(yīng)用提供高性能及可靠的IGBT已超過十年，一直是市場上領(lǐng)先的供應(yīng)商。新的1,200 V系列的高性能IGBT充分利用了我們在高壓溝槽型技術(shù)及晶圓工藝技術(shù)的知識產(chǎn)權(quán)及能力，同時(shí)為多種終端市場的客戶提供高質(zhì)量及強(qiáng)固的方案，用于他們講究高能效的電源應(yīng)用。”