飛兆開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET
—— 實現(xiàn)出色的熱轉移特性
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便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節(jié)省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/132514.htm這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝，最大限度地減小線路板空間和RDS(ON)，并在微小外形尺寸封裝中實現(xiàn)出色的散熱特性。
特性和優(yōu)勢
· 非常小的(0.8 x 0.8mm2)封裝僅占0.64mm2的印刷線路板面積，比2mm x 2mm CSP封裝的占位面積減小16%
· 安裝于印刷線路板時，達到低于0.4mm的超低側高
· VGS低至-1.5V，低的RDS(ON) 值
· 出色的散熱特性(1平方英寸 2盎司銅焊盤上，93度C/W的RΘJA)
· 滿足RoHS要求
· 適用于便攜應用的電池管理和負載開關功能
作為便攜技術的領先企業(yè)，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 提供廣泛的模擬和功率知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品組合，可進行定制以滿足手機制造商的特定需求。飛兆半導體通過注重實現(xiàn)用戶滿意度和市場成功的特定模擬和功率功能，例如音頻、視頻、USB、ASSP/邏輯、RF電源、內核電源和照明等，能夠提供改善功能性同時節(jié)省空間和功率的解決方案。
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