美商亞德諾與TSMC攜手開發(fā)全新模擬工藝技術(shù)平臺(tái)

　　美商亞德諾公司與TSMC日前共同宣布雙方合作開發(fā)完成可支持精密模擬集成電路的0.18微米模擬工藝技術(shù)平臺(tái)。

　　此嶄新的工藝技術(shù)平臺(tái)能夠大幅改善模擬效能，支持諸多組件的應(yīng)用，包括交流電轉(zhuǎn)直流電(A/D)與直流電轉(zhuǎn)交流電(D/A)轉(zhuǎn)換器、電源管理組件、以及音頻編/譯碼器，這些組件皆被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)性電子、通訊產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)、工業(yè)電子、以及汽車產(chǎn)品。0.18微米5伏電壓工藝所達(dá)到的性能提升效果包括雜音改善幅度提升一個(gè)數(shù)量級(jí)(An Order of Magnitude)、靜態(tài)漏電流(Standby Leakage Current)減少幅度達(dá)70%、線性度(Linearity)改善50%、以及電容電阻匹配(Capacitor and Resistor Matching)改善幅度達(dá)50%。

　　美商亞德諾公司藉此新開發(fā)平臺(tái)于最近發(fā)表的產(chǎn)品包括隔離式控制器局域網(wǎng)絡(luò)(Control-Area Network，CAN)收發(fā)器、高速可尋址遠(yuǎn)程換能器(Highway Addressable Remote Transducer, HART)調(diào)制解調(diào)器IC、心電圖(ECG)模擬前端(AFE)芯片、數(shù)字電位器(Digital Potentiometer)、以及音頻編碼器。

　　TSMC的0.18微米BCD(Bipolar–CMOS -DMOS，雙極–互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體–雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體)工藝平臺(tái)能夠支持廣大的操作電壓范圍，并且提供具有成本效益的操作優(yōu)勢(shì)，擁有極小的覆蓋面積(Footprint)與極高的能源效率，此平臺(tái)適合許多計(jì)算機(jī)、工業(yè)電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。

　　美商亞德諾公司模擬技術(shù)副總裁David Robertson表示：「亞德諾公司與TSMC之間緊密且長久的技術(shù)合作關(guān)系讓雙方得以順利開發(fā)此領(lǐng)先業(yè)界的模擬技術(shù)平臺(tái)，優(yōu)化工藝與電路及架構(gòu)創(chuàng)新的結(jié)合是我們能夠擁有高效能轉(zhuǎn)換器及線性式產(chǎn)品的關(guān)鍵，TSMC的工藝為亞德諾公司的工藝技術(shù)組合提供了更高的附加價(jià)值?！?/p>

　　TSMC美國子公司總經(jīng)理Rick Cassidy表示：「亞德諾公司自從0.6微米與0.35微米模擬工藝就與TSMC合作，雙方在此重要且嶄新平臺(tái)的合作上展現(xiàn)了兩家公司對(duì)于特殊技術(shù)開發(fā)及提升更廣大產(chǎn)品應(yīng)用的承諾。」