瑞薩第七代650V和1250V IGBT建立新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

　　(3) 快速開關(guān)

　　通過優(yōu)化器件的表面結(jié)構(gòu)，與早期的瑞薩產(chǎn)品相比，反向傳輸電容(Cres)(注3)降低了大約10%。這就有助于實現(xiàn)更快的開關(guān)，并使設(shè)計更高效的電源轉(zhuǎn)換器電路成為可能。

　　對于像太陽能逆變器中使用的大電流逆變模塊，或者工業(yè)用逆變控制電機這類廣泛使用三相逆變電路的應(yīng)用，這些改進有助于實現(xiàn)更低的功耗和更穩(wěn)定的操作。

　　瑞薩通過提供將微控制器(MCU)與模擬和功率器件相結(jié)合的總體解決方案來使客戶受益。新款高性能第七代IGBT產(chǎn)品在業(yè)界最佳功率器件類別中占有一席之地。他們形成了瑞薩功率器件陣列的核心，而且公司計劃在這一系列中發(fā)布新的產(chǎn)品來不斷的向前發(fā)展。

　　瑞薩還計劃發(fā)布一款增強型配套解決方案，包括新的IGBT產(chǎn)品，瑞薩RL78和RX系列用于逆變控制的MCU，以及用于功率器件驅(qū)動的光耦合器。瑞薩還計劃準(zhǔn)備裝有新款IGBT產(chǎn)品的參考開發(fā)板，以支持客戶的配套評價和系統(tǒng)設(shè)計。

　　新款I(lǐng)GBT產(chǎn)品的包裝形式是晶圓/芯片，RJH65S系列采用TO-247封裝。

　　(注 1) 飽和電壓 (VCE(sat)):
　　這是IGBT最重要的性能指標(biāo)，指的是當(dāng)器件導(dǎo)通時集電極-發(fā)射極的壓降。其數(shù)值越低，傳導(dǎo)損耗越小。

　　(注2) 短路耐受力 (tsc):
　　這是IGBT抗破壞能力的一個指標(biāo)。它是指在短路產(chǎn)生的無限電流對IGBT導(dǎo)致破壞之前的總時間。一般說來，對于要求大電流和高穩(wěn)定性的應(yīng)用，如電機驅(qū)動而言，這個值越高越好。

　　(注3) 反向傳輸電容 (Cres):
　　這個參數(shù)是指IGBT的柵極和集電器之間的內(nèi)在電容。一般來說，電容值越小就表示器件可以實現(xiàn)越快速的開關(guān)，從而可以降低開關(guān)損耗。

　　參考圖
　　三種應(yīng)用中IGBT效率的比較