宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)0.13微米嵌入式EEPROM模塊

　　中國上海，2012年7月30日-上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)先企業(yè)，宣布成功開發(fā)出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊(具有單字節(jié)擦寫能力)。

　　宏力半導(dǎo)體先進(jìn)的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲技術(shù)，第一次在0.13微米1.5伏低漏電、低功耗邏輯工藝平臺上實(shí)現(xiàn)了閃存模塊和EEPROM模塊的完美結(jié)合?；谠撓冗M(jìn)技術(shù)開發(fā)出的0.13微米嵌入式EEPROM模塊，數(shù)據(jù)保持時(shí)間達(dá)到100年，擦寫次數(shù)大幅提高到50萬次。此次顯著的技術(shù)創(chuàng)新與提升，標(biāo)志著宏力半導(dǎo)體在嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域邁入了新的里程碑，進(jìn)一步鞏固了宏力半導(dǎo)體在嵌入式非揮發(fā)性存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　“0.13微米嵌入式EEPROM模塊因其耐久的數(shù)據(jù)保持時(shí)間和優(yōu)異的擦寫能力，一經(jīng)推出，就受到了客戶的青睞。”企業(yè)發(fā)展暨戰(zhàn)略單位副總經(jīng)理傅城博士表示，“搭載該模塊的產(chǎn)品能夠?yàn)榭蛻籼峁└呖煽啃?、低成本的解決方案，在銀行卡、金融IC卡、移動支付、RFID、電子護(hù)照等安全類芯片和MCU中具有廣闊的前景。”