X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

　　X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。

　　XT018 SOI技術(shù)是市面上唯一的180nm工藝，適用于100V到200V電壓范圍的應(yīng)用。XT018適合需要雙向隔離的消費(fèi)性、醫(yī)療、通信和工業(yè)應(yīng)用，例如PoE、超音波傳送器、壓力作動(dòng)器與電容驅(qū)動(dòng)的微機(jī)械系統(tǒng)。

　　這項(xiàng)新技術(shù)以1.8V/5.0V的I/O與多達(dá)6層金屬的180nm工藝，結(jié)合了完全隔離的MOS組件來實(shí)現(xiàn)高壓汲極(high-voltage drain)。獨(dú)特的架構(gòu)運(yùn)用超接面(super-junction)結(jié)構(gòu)與專利型的高壓端隔離MOS組件，實(shí)現(xiàn)精巧的Ron設(shè)計(jì)，100V NMOS組件為0.3 Wmm² 、200V NMOS組件為1.1Wmm²。在low side與high side的操作中，HV MOS組件均擁有相同的特性參數(shù)?！　?/p>

　　XT018的工藝模塊中有5V-only的模塊適用于模擬的應(yīng)用，還有HVnmos與HVpmos模塊可分別選擇。這項(xiàng)技術(shù)完全適用于-40°C到175°C的溫度范圍。

　　除了HV晶體管之外，XT018提供一層厚的金屬層以支援大電流繞線、隔離型的10V MOS、基本的junction diodes與bipolar、中高阻值的poly電阻、高面積效益的MIM電容(2.2至6.6 fF/µm²)，以及高壓電容。超接面技術(shù)(super-junction)讓rectifying diodes擁有20ns的逆向復(fù)原時(shí)間(reverse recovery time)，也讓整流器(rectifiers)與bootstrap電路能夠有效地被整合到芯片上。

　　X-FAB高壓產(chǎn)品線營(yíng)銷經(jīng)理Sebastian Schmidt表示：「我們的XT018技術(shù)提供卓越的電介質(zhì)高壓隔離。這種隔離讓設(shè)計(jì)工作更容易地達(dá)到較短的創(chuàng)新過程，簡(jiǎn)單明確而且可以加快前期導(dǎo)入市場(chǎng)的時(shí)間?！?/p>

　　XT018 設(shè)計(jì)套件已經(jīng)完備，設(shè)計(jì)人員可立即著手設(shè)計(jì)。

　　X-FAB將在今年稍后舉辦一場(chǎng)全新XT018工藝的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)。