探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。

　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。

　　不過還是有個變通方法：寫入隊列深度1的不可壓縮128KB持續(xù)數(shù)據(jù)，分別計算每次測試的損耗均衡計數(shù)(WLC，類似Intel MWC媒體損耗指示器)。如果知道了平均寫入速度和持續(xù)時間，就可以大致算出寫入了多少數(shù)據(jù)。另一方面，大尺寸數(shù)據(jù)是連續(xù)寫入的，不存在碎片，所以寫入放大系數(shù)非常接近1x。

　　使用一塊三星840 250GB進行測試，結(jié)果如下：

　　- 數(shù)據(jù)寫入總量：92623GB

　　- WLC消耗量：34

　　- 估算P/E總數(shù)：1064次

　　- 估算可寫入總量：272420GB

　　也就是說，TLC NAND閃存的確只有大約1000次編程/擦寫循環(huán)，250GB的終生數(shù)據(jù)寫入量也就在270TB左右。

　　當然了，WLC走到零之后，三星840依然有機會繼續(xù)服役，最多再堅持個20-30%的時間，不過前提是它得和Intel MWI差不多。

　　1000次的編程/擦寫循環(huán)確實很可憐，但對于普通用戶來說也沒有那么可怕。一般人平均每天的寫入量很少能超過10GB，那么我們就假設是10GB，寫入放大系數(shù)則假定為3，那么對于128GB、256GB MLC固態(tài)硬盤來說，總的壽命大約為35.0年、70.1年，同樣容量的TLC硬盤則是11.7年、23.4年。

　　即便是每天30GB，256GB TLC硬盤也能支撐7.8年，夠用不?

　　另外，所有的S.M.A.R.T.屬性都是趨于保守的，因此即便WMI、WLC都走到了零，你的硬盤也不會立刻死去，比如著名玩家論壇XtremeSystem里有一塊三星830 256GB，已經(jīng)累計寫入了接近6000TB，而WLC早在828TB的時候就變成零了，實際壽命達到了理論值的七倍多!