明導(dǎo)支持三星14nm IC制造工藝平臺(tái)問世
明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corp)今天宣布,用以支持三星14nm IC制造工藝的綜合設(shè)計(jì)、制造與后流片實(shí)現(xiàn)(post tapeout)平臺(tái)問世,這一平臺(tái)能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾膹脑O(shè)計(jì)到晶圓的并行流程,使早期加工成為可能。完全可互操作的Mentor 流程可幫助客戶實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)周期和晶圓生產(chǎn)的一次性成功。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/140416.htm明導(dǎo)專門用于三星14nm晶圓優(yōu)化的解決方案,包含設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)、LVS查驗(yàn)、提取、可制造性設(shè)計(jì)(DFM)和先進(jìn)填充等功能的Calibre?平臺(tái),以及Tessent?可測(cè)試性設(shè)計(jì)(DFT)套件和良率分析工具。
“三星和明導(dǎo)合作加速設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)與制造合作優(yōu)化技術(shù)已經(jīng)有多年了,我們?cè)?a class="contentlabel" href="http://butianyuan.cn/news/listbylabel/label/14nm ">14nm 節(jié)點(diǎn)上的合作比以往更加重要。”三星電子公司器件解決方案部與系統(tǒng)LSI基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)中心高級(jí)副總裁Kyu-Myung Choi博士表示。“14nm的設(shè)計(jì)規(guī)則極其復(fù)雜,在引入了FinFETs以及雙重圖形(DP)層后。在目標(biāo)晶圓代工廠的制造工藝中,物理設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和測(cè)試工具這三者的緊密協(xié)調(diào)至關(guān)重要。由于三星還在自己的IC開發(fā)中使用了明導(dǎo)的Calibre解決方案,所以使用它的設(shè)計(jì)師將能得到精確及時(shí)的反饋,以便實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)流程的同步優(yōu)化。”
Calibre平臺(tái)創(chuàng)建了分解后的雙重圖形(DP)版圖,符合三星所有14nm光刻技術(shù)的要求,并且專為三星的掩模綜合和OPC工藝作了微調(diào),后者在14nm中的工藝也由明導(dǎo)提供。這一平臺(tái)還能快速向設(shè)計(jì)師提供關(guān)于FinFETs復(fù)雜設(shè)計(jì)規(guī)則的反饋信息,并就消除DFM光刻差錯(cuò)提供具體指導(dǎo),以便更快、更精確地修復(fù)差錯(cuò)。用于LVS和提取的Calibre工具經(jīng)過了校準(zhǔn),以確保符合三星FinFETs的精確設(shè)計(jì)和寄生模型,消除使用其他工具可能產(chǎn)生的有重大影響的“重復(fù)計(jì)數(shù)”。而且,Calibre SmartFill還通過智能布局填充結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)平面性來確保在設(shè)計(jì)中不會(huì)出現(xiàn)CMP問題,同時(shí)最小程度的減少時(shí)序問題。
之前在Tessent單元識(shí)別(cell-aware)測(cè)試工具方面的合作,提高了14nm的新單元內(nèi)部結(jié)構(gòu)的測(cè)試質(zhì)量,并且提高了測(cè)試向量壓縮,從而控制較大的14nm晶圓設(shè)計(jì)的測(cè)試成本。明導(dǎo)與三星還通過在Tessent工具與Calibre圖形匹配設(shè)施之間交換信息,在設(shè)計(jì)收尾過程中利用生產(chǎn)測(cè)試診斷來迅速識(shí)別并消除因設(shè)計(jì)原因造成的良率限制問題。
“明導(dǎo)與三星通過緊密合作,已經(jīng)能夠?yàn)槲覀兊目蛻籼峁┡c三星14nm制造工藝并行的所有必要的平臺(tái)技術(shù)。”明導(dǎo)國際副總裁兼硅晶設(shè)計(jì)部總經(jīng)理Joseph Sawicki表示。“為了提供能夠符合14nm一切要求的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng),這種層次的合作是絕對(duì)必要的。”
評(píng)論