科學(xué)家為下一代高速電子工程發(fā)布新型2D材料

　　CSIRO(聯(lián)邦科學(xué)與工業(yè)研究組織)和RMIT(皇家墨爾本理工)大學(xué)制造出了一種新型二維材料，可能引起電子市場(chǎng)的革命，讓市場(chǎng)變得更加‘納米’。

　　這種材料由多層鉬氧化合物晶體組成，它有一種獨(dú)特的性能，能夠激勵(lì)電子以超高速自由移動(dòng)。論文發(fā)布在科學(xué)雜志Advanced Materials上，研究者解釋了他們?nèi)绾卫檬┤?chuàng)造有傳導(dǎo)性的新型納米材料。盡管石墨烯支持高速電子，然而它的物理性質(zhì)阻礙了實(shí)際利用。

　　Serge Zhuikov 博士說：“新型的納米材料由多層薄片構(gòu)成，類似于鉛筆中使用的石墨。在這些層級(jí)之間，電子能夠高速猛沖、并伴隨最小的散射。”

　　Kourosh Kalantar-zadeh 說道：“研究移除了阻礙電子移動(dòng)的‘路障’，為高速電子工程提供了前提。傳統(tǒng)材料中電子因?yàn)樵庥?lsquo;路障’而分散，而新材料內(nèi)電子可以直接通過。得益于電子移動(dòng)加快，我們能制造出更小、數(shù)據(jù)傳輸速率更高的設(shè)備。在我們用新型2D材料制造出真正的小物件前，這次突破是整個(gè)進(jìn)程的基礎(chǔ)。”

　　研究者聲稱用一種‘剝落’的方法創(chuàng)造此物質(zhì)，大概11nm厚。它的電子流動(dòng)性值(electron mobility values)>1,100cm2/Vs——超過了現(xiàn)有的低維度硅的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。