恩智浦推出針對(duì)熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET

　　憑借在功率MOSFET領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)近日推出了其NextPower Live產(chǎn)品組合，設(shè)計(jì)出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時(shí)提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值，該獨(dú)特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力?！　?/p>本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/141410.htm

 

　　運(yùn)行于全天候網(wǎng)絡(luò)世界的大部分基礎(chǔ)設(shè)施(從云計(jì)算和移動(dòng)電話到ATM和交通管理)由永久性處于工作(開(kāi)啟)狀態(tài)的機(jī)架式系統(tǒng)組成。正因如此，驅(qū)動(dòng)這些系統(tǒng)的電路板和元件必須能夠?qū)崿F(xiàn)“熱插拔”工作，以實(shí)現(xiàn)在無(wú)需關(guān)閉設(shè)備電源的條件下即可進(jìn)行產(chǎn)品升級(jí)和維護(hù)。恩智浦NextPower Live MOSFET旨在為這樣的系統(tǒng)提供了最佳的性能。

　　在應(yīng)用過(guò)程中，為應(yīng)對(duì)更換板卡插入工作系統(tǒng)時(shí)的沖擊電流，需要MOSFET具有強(qiáng)大的線性工作區(qū)域和很寬的安全運(yùn)行區(qū)域(SOA)來(lái)防止電涌;但是，在過(guò)去需要使用RDS(on)較高且效率極低的老一代MOSFET，現(xiàn)在恩智浦NextPower Live系列已克服了該難題，只要系統(tǒng)安全安裝并運(yùn)行，即可提供很強(qiáng)的線性模式性能以及實(shí)現(xiàn)高效率(Rdson 很低)。

　　恩智浦半導(dǎo)體MOSFET業(yè)務(wù)經(jīng)理Chris Boyce表示：“我們生活在計(jì)算和通信基礎(chǔ)設(shè)施不間斷的一個(gè)永無(wú)停歇的世界之中，享受始終連接、始終在線且沒(méi)有中斷的社會(huì)，這就需要特殊類型的元件能夠處理關(guān)鍵任務(wù)的應(yīng)用需求 。過(guò)去，基礎(chǔ)設(shè)施所有者被迫使用可應(yīng)對(duì)被安裝到某個(gè)活動(dòng)環(huán)境的老一代MOSFET，但系統(tǒng)卻引入的高電阻值的MOSFET，它造成了過(guò)多的功率損耗且提高了機(jī)架的整體溫度。我們的NextPower Live MOSFET將改變了這一切，讓其在無(wú)中斷可靠加電后以極低的RDS(on)值工作，并實(shí)現(xiàn)高效率，目前其他解決方案都無(wú)法提供可與之相比擬的性能參數(shù)。”

　　NextPower Live產(chǎn)品組合兼具30V設(shè)備(針對(duì)工作電壓為12V DC的刀片服務(wù)器等應(yīng)用)和100V設(shè)備(針對(duì)工作電壓為標(biāo)稱48V DC的電信應(yīng)用)。具有這兩種電壓范圍的MOSFET采用D2PAK封裝和LFPAK56(兼容Power-SO8)封裝，現(xiàn)已上市。

　　恩智浦半導(dǎo)體還在針對(duì)以太網(wǎng)供電(PoE)等其他相關(guān)線性模式應(yīng)用開(kāi)發(fā)NextPower Live MOSFET。