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島津防反射膜成膜裝置“MCXS”/電池板檢查裝置“SCI”系列開始銷售

—— 為太陽(yáng)能電池板生產(chǎn)提供支持
作者: 時(shí)間:2013-05-15 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  針對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,制作所即將展開減反射膜成膜裝置“”以及檢查裝置“”系列2種機(jī)型的銷售。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/145341.htm

  目前,中國(guó)正在從確保需求和扶持本地企業(yè)等觀點(diǎn)出發(fā)導(dǎo)入太陽(yáng)能優(yōu)惠政策,而美國(guó)和印度則已經(jīng)具備了太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的良好條件,同時(shí)在日本,已經(jīng)開始啟動(dòng)可再生能源的固定價(jià)格購(gòu)買機(jī)制,在上述國(guó)家和地區(qū),太陽(yáng)能電池市場(chǎng)正在逐步擴(kuò)大。此外,從長(zhǎng)遠(yuǎn)觀點(diǎn)來(lái)看,伴隨著發(fā)展中國(guó)家的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)和生活水平的提高,能源需求正在急劇增加,特別是具備良好日照條件的非洲、中東、南美、東南亞等地區(qū),估計(jì)這種需求會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大,預(yù)計(jì)到2030年,輸出發(fā)電量將為2012年的3.2倍,即,128,600 MW*1。

  在此情況下,可以進(jìn)一步降低制造成本,并且具備更高耐性、以期能夠解決目前造成大型太陽(yáng)能發(fā)電站等太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)全體輸出降低的重大問題(Potential Induced Degradation:電壓誘發(fā)輸出衰減)的太陽(yáng)能電池需求更加突出。

  而作為能夠?qū)崿F(xiàn)減少太陽(yáng)光反射、提高能量吸收,有助于提高發(fā)電效率的減反射膜及其成膜裝置,更應(yīng)該以此需求為課題,不斷追求更高標(biāo)準(zhǔn)性能和生產(chǎn)效率。

  為此,我公司通過(guò)采用新開發(fā)的中空陰極等離子源和直接等離子法,成功開發(fā)出具備高產(chǎn)能、低運(yùn)行成本,且具有更高耐性的減反射膜成膜裝置(CVD)“”。本裝置,通過(guò)高密度等離子修復(fù)硅片表面和內(nèi)部存在的結(jié)晶缺陷,改善太陽(yáng)能電池多的特性,進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率。

  此外,因采用低頻、高密度等離子進(jìn)行高速成膜,使用“”生產(chǎn)的晶體硅太陽(yáng)能電池組件具備高耐性,該特性已經(jīng)獲得了日本獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)主辦的“第二期高可靠性太陽(yáng)能電池模塊開發(fā)、評(píng)價(jià)聯(lián)盟”的驗(yàn)證結(jié)果證實(shí)。本成果,亦于2013年3月28日在“第60屆應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)講演會(huì)”上發(fā)表。

  而另一方面,太陽(yáng)能電池的品質(zhì)競(jìng)爭(zhēng)也更加激烈。生產(chǎn)效率在不斷提高,品質(zhì)管理更加嚴(yán)格,目前在太陽(yáng)能電池板的生產(chǎn)工序中以人工檢查為主的現(xiàn)狀,迫切需要升級(jí)為自動(dòng)化檢查方式。

  針對(duì)上述需求,新近開發(fā)了可以以1臺(tái)設(shè)備同時(shí)檢查硅片微裂隱裂和外觀的復(fù)合檢查裝置“-8SM”和業(yè)內(nèi)最小尺寸*2的外觀檢查裝置“-8S”。

  此檢查裝置,對(duì)于防止因生產(chǎn)線停止造成的長(zhǎng)時(shí)間生產(chǎn)中斷和提高成品率具有顯著效果。

  我公司希望通過(guò)向日益擴(kuò)大的太陽(yáng)能電池市場(chǎng)提供上述3個(gè)產(chǎn)品,為普及環(huán)保型可再生能源做出貢獻(xiàn)。

  *1 據(jù)富士經(jīng)濟(jì)調(diào)查 *2 據(jù)我公司調(diào)查

  《MCXS的特長(zhǎng)》

  1. 高PID耐性獲得實(shí)證

  這次在AIST進(jìn)行的試驗(yàn),在攝氏25℃、組件表面玻璃處于浸水狀態(tài)、施加電壓1000 V的條件下,持續(xù)實(shí)施168小時(shí)。其結(jié)果,使用我公司成膜裝置制作而成的太陽(yáng)能電池組件,未發(fā)生輸出降低現(xiàn)象。

  本產(chǎn)品,顯然對(duì)提供高可靠性太陽(yáng)能電池有所幫助。

  2. 為提高太陽(yáng)能電池生產(chǎn)能力做出貢獻(xiàn)

  新開發(fā)了可以生成高密度等離子的中空陰極等離子源,通過(guò)提高原料特氣的分解效率,實(shí)現(xiàn)了采用直接等離子方式的業(yè)內(nèi)最高成膜速度(100 nm/min以上)。此外,通過(guò)在線式高速搬運(yùn)機(jī)構(gòu),與同級(jí)別原有產(chǎn)品相比,最高水準(zhǔn)可實(shí)現(xiàn)每小時(shí)1,700枚的高產(chǎn)能,為提高整個(gè)生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力做出貢獻(xiàn)。

  3. 實(shí)現(xiàn)低成本

  除采用高速成膜、立式基板配置實(shí)現(xiàn)了裝置小型化外,還通過(guò)延長(zhǎng)維護(hù)周期,將消耗電量減至我公司原有機(jī)種1/3,運(yùn)行成本減至1/2,降低了維持費(fèi)和維護(hù)費(fèi)。換而言之,本產(chǎn)品在太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中,降低了能源成本,提高了原料氣體的使用效率,是采用了節(jié)能設(shè)計(jì)的制造裝置。

  《SCI-8SM的特長(zhǎng)》

  1. 同時(shí)對(duì)微裂隱裂和晶圓外觀進(jìn)行高速檢查

  對(duì)轉(zhuǎn)換效率以及對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中的破損率會(huì)造成不良影響的微隱裂(晶圓內(nèi)部的細(xì)微裂紋)檢查,對(duì)硅片外形的裂紋或凹凸、減反射膜上的顆粒、膜厚及分布測(cè)定等晶圓外觀檢查,過(guò)去需使用不同檢查裝置進(jìn)行檢查,而現(xiàn)在通過(guò)一臺(tái)設(shè)備即可全部實(shí)現(xiàn)高速檢測(cè),計(jì)測(cè)時(shí)間為1秒/枚以下。

  2. 縮短膜厚測(cè)定時(shí)間

  傳統(tǒng)裝置需要使用多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行膜厚測(cè)定,為制作標(biāo)準(zhǔn)曲線等,在檢查前需要5個(gè)小時(shí)以上的準(zhǔn)備時(shí)間。本裝置通過(guò)可見光的反射強(qiáng)度,基于光學(xué)理論、獨(dú)家開發(fā)的測(cè)定原理對(duì)膜厚進(jìn)行高速計(jì)算,無(wú)需準(zhǔn)備時(shí)間,可即刻開始進(jìn)行測(cè)定。

  《SCI-8S的特長(zhǎng)》

  業(yè)內(nèi)最小尺寸

  通過(guò)使用獨(dú)家開發(fā)、可將偏差減至最小的光學(xué)系統(tǒng),在保持SCI-8SM同等高功能的同時(shí),與同級(jí)別原有產(chǎn)品相比體積縮小15%,成為業(yè)內(nèi)最小尺寸的外觀檢查裝置。

  本產(chǎn)品不僅可用于新設(shè)生產(chǎn)線,也可在現(xiàn)有生產(chǎn)線的有限空間進(jìn)行追加改造,為提高電池片質(zhì)量做出貢獻(xiàn)。

  名稱: 晶體硅太陽(yáng)能電池用減反射膜成膜等離子CVD裝置“MCXS”

  晶體硅太陽(yáng)能電池用復(fù)合檢查裝置“SCI-8SM”

  晶體硅太陽(yáng)能電池用外觀檢查裝置“SCI-8S”

  系統(tǒng)價(jià)格: MCXS 1億7千萬(wàn)日元(包含自動(dòng)傳送機(jī),不含稅)

  SCI-8SM 1千萬(wàn)日元(包含照明電源,不含稅)

  SCI-8S 5百萬(wàn)日元(包含照明電源,不含稅)

  尺寸: MCXS 4000 (W) × 7500 (D) × 2500 (H) mm(裝置主體、包含自動(dòng)傳送機(jī))

  SCI-8SM 306 (W) × 310 (D) × 951 (H) mm(裝置主體、包含照明電源)

  SCI-8S 193 (W) × 193 (D) × 315 (H) mm(裝置主體、不含照明電源)

  銷售計(jì)劃: MCXS 20臺(tái)(第一年度)

  SCI-8SM 15臺(tái)(第一年度)

  SCI-8S 20臺(tái)(第一年度)

  照片:防反射膜成膜用等離子CVD裝置“MCXS”

  照片:復(fù)合檢查裝置“SCI-8SM”(左)、外觀檢查裝置“SCI-8S”(右)



關(guān)鍵詞: 島津 MCXS SCI PID

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