2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比上年減少11.5％

　　日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計(jì)算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇，但由于中國(guó)和歐洲市場(chǎng)的經(jīng)濟(jì)不景氣，個(gè)人電腦、顯示器和消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的功率半導(dǎo)體需求低迷，因此2012年出現(xiàn)了兩位數(shù)的減少。另外，在日本和北美，純電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē)以及光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器等用途的功率半導(dǎo)體需求則出現(xiàn)了增長(zhǎng)。

　　此次的調(diào)查時(shí)間從2012年10月到2013年4月，對(duì)象包括功率半導(dǎo)體廠商、半導(dǎo)體晶圓廠商和應(yīng)用設(shè)備廠商。矢野經(jīng)濟(jì)研究所認(rèn)為，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)很可能會(huì)從2013年下半年開(kāi)始復(fù)蘇。預(yù)計(jì)2013年的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到比上年增加4.1%的140.7億美元，2020年的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到290.1億美元，超過(guò)2012年的兩倍。

　　另外，矢野經(jīng)濟(jì)研究所認(rèn)為，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的牽引力將從MOSFET和二極管等離散型產(chǎn)品轉(zhuǎn)向功率模塊。原因是功率模塊的需求領(lǐng)域多為工業(yè)設(shè)備、新能源、純電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)、鐵路以及電力基礎(chǔ)設(shè)施等有望實(shí)現(xiàn)中長(zhǎng)期增長(zhǎng)的領(lǐng)域。

　　2020年新一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約30億美元

　　矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)，采用SiC和GaN的新一代功率半導(dǎo)體的成本不斷降低，2015年以后將得到廣泛應(yīng)用。該公司預(yù)計(jì)，這些新一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)規(guī)模，從2012年到2020年將以年均57.2%的速度實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，2020年將擴(kuò)大到29.8億美元。

　　SiC功率半導(dǎo)體目前主要采用SiC二極管，預(yù)計(jì)從2013年到2014年，涉足SiC晶體管的廠商會(huì)越來(lái)越多。估計(jì)6英寸晶圓將大量投放市場(chǎng)，采用6英寸晶圓的量產(chǎn)將保持穩(wěn)定，2015年以后SiC晶體管的成本也會(huì)出現(xiàn)下降。

　　GaN功率半導(dǎo)體此前僅限于耐壓在200V以下的產(chǎn)品，供應(yīng)廠商也只有兩家，但從2012年底到2013年，耐壓為600V的產(chǎn)品相繼投產(chǎn)，因此已經(jīng)開(kāi)始在各個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行評(píng)測(cè)。最初估計(jì)將用于信息和通信設(shè)備的電源電路，之后有望用于光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的電源等。(記者：赤坂麻實(shí)，Tech-On!)

　　各大廠商的功率半導(dǎo)體供貨金額走勢(shì)。2012年為實(shí)測(cè)值，2013年以后為預(yù)測(cè)値。“Si”指采用硅晶圓的功率半導(dǎo)體，“SiC/GaN”指采用SiC和GaN等新一代材料的功率半導(dǎo)體。功率半導(dǎo)體包括功率MOSFET/IPD、二極管、IGBT、功率模塊以及雙極晶體管等(資料：矢野經(jīng)濟(jì)研究所)