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Xilinx UltraScale?:為您未來架構(gòu)而打造的新一代架構(gòu)

作者: 時間:2013-07-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  Virtex®和Kintex®系列成員在第二代3D IC中的連接資源數(shù)量以及相關(guān)的硅片間帶寬都實現(xiàn)了階梯式增長。布線資源和硅片間帶寬的大幅增長確保了新一代應(yīng)用能夠在實現(xiàn)其高器件利用率的前提下達(dá)到目標(biāo)性能和時序收斂。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/147542.htm

  智能、快速處理的挑戰(zhàn)

  對于任何高性能系統(tǒng)來說,無論目標(biāo)是提高數(shù)據(jù)包吞吐量,還是增大DSP GMAC,亦或是增加屏幕的每秒顯示像素,所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)都是相同的,如圖6所示。  

 

  無論對于哪種應(yīng)用,問題描述起來都很簡單,即大量數(shù)據(jù)以數(shù)十至數(shù)百GB的速度通過多個高速串行端口進(jìn)入系統(tǒng)。應(yīng)將這些高速數(shù)據(jù)路由到處理邏輯并進(jìn)行實時處理,這一般要求采用較高的DSP或包處理速度來應(yīng)對高數(shù)據(jù)速率。輸入數(shù)據(jù)和中間處理結(jié)果數(shù)據(jù)必須存儲在系統(tǒng)中或靠近處理元件的地方,或者存放在與系統(tǒng)臨近的大容量內(nèi)。數(shù)據(jù)經(jīng)過處理后,必須路由至高速輸出收發(fā)器進(jìn)行發(fā)送。如圖6所示:

  • 通過高速串行線路實現(xiàn)系統(tǒng)數(shù)據(jù)的輸入和輸出要求利用可靠的多Gb串行收發(fā)器實現(xiàn)很高的I/O帶寬。串行收發(fā)器必須可靠并具備非常低的誤碼率。
  • 大量并行布局線路從多Gb串行收發(fā)器扇出至廣泛的功能處理模塊,這需要通過低時鐘歪斜的寬扇出能力才能實現(xiàn)。布置大量并行總線的難度比較大。
  • 要對海量數(shù)據(jù)流進(jìn)行處理,就要采用高吞吐量的邏輯模塊和DSP模塊,并要通過高帶寬接口實現(xiàn)非??焖俚膬?nèi)部與外部訪問能力。這種處理需求對任何架構(gòu)的數(shù)據(jù)與時鐘布線功能都來說都是一種嚴(yán)峻的考驗。

  必須在一定的功耗范圍內(nèi)滿足所有性能指標(biāo)。系統(tǒng)必須在有限的功耗和冷卻限值內(nèi)運行,如圖7概念圖所示?! ?/p>

 

  架構(gòu)的組成部分針對新一代處理系統(tǒng)的眾多復(fù)雜要求進(jìn)行了調(diào)整。

  提供海量I/O和存儲器帶寬

  UltraScale架構(gòu)能在顯著增強(qiáng)高速SerDes收發(fā)器性能的同時大幅降低其功耗。VirtexUltraScale器件采用可支持5 Tbps以上串行系統(tǒng)帶寬的新一代SerDes(收發(fā)器)。

  基于UltraScale架構(gòu)的GTY和GTH串行收發(fā)器包含內(nèi)部變速箱(gearbox)邏輯,用于將多Gb/s的串行數(shù)據(jù)線速率轉(zhuǎn)化成更寬的數(shù)據(jù)總線(幾百MHz),以便與片上邏輯和存儲器速度相匹配。收發(fā)器的gearbox能消除在系統(tǒng)設(shè)計中因使用外部gearbox芯片而帶來的成本。與之類似的是,基于UltraScale架構(gòu)的GTY串行收發(fā)器所采用的集成分?jǐn)?shù)鎖相環(huán)(PLL)能夠?qū)⒁粋€參考時鐘轉(zhuǎn)換成多個線路速率,因此無需再使用外部的電壓控制型晶體振蕩器(VCXO)。僅這一項功能就可以節(jié)省數(shù)十個分立器件,并為采用眾多不同線路速率高速串行端口的系統(tǒng)設(shè)計節(jié)省數(shù)百美元。

  采用UltraScale架構(gòu)的級串行收發(fā)器與早期器件中的收發(fā)器相比具備更高的靈活性,同時保留了賽靈思7系列ALL Programmable器件可靠的自適應(yīng)均衡功能(自動增益控制、連續(xù)時間線性均衡、決策反饋均衡)。賽靈思的自適應(yīng)均衡功能可以將誤碼率維持在無法檢測到的水平(例如小于10-17),并允許基于UltraScale架構(gòu)的收發(fā)器直接驅(qū)動數(shù)GHz的高速背板。

  提供超高的外部與內(nèi)部存儲器帶寬

  UltraScale架構(gòu)能支持多個適用于DDR3/4的SDRAM存儲控制器,并包含硬化的DDR物理層(PHY)片上模塊,從而將存儲器接口性能提升到了新高度。與早期器件相比,基于UltraScale架構(gòu)的器件具備如下優(yōu)勢:

  • 更多SDRAM控制器
  • 更寬的SDRAM端口
  • 更快的存儲器端口

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