聯(lián)華與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

 　　臺(tái)灣新竹, 加州洛斯加托斯— 聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項(xiàng)工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(dòng)(HPM)工藝。SuVolta與聯(lián)華電子正密切合作利用DDC晶體管技術(shù)的優(yōu)勢(shì)來(lái)降低泄漏功耗，并提高SRAM的低電壓效能。

　　這兩家公司還宣布該工藝技術(shù)將提供高度靈活的采用方式：

　　“DDC PowerShrink?低功耗平臺(tái)”選項(xiàng)：所有晶體管都使用DDC技術(shù)以實(shí)現(xiàn)最佳功耗與效能優(yōu)勢(shì);

　　“DDC DesignBoost晶體管調(diào)換”選項(xiàng)：用DDC晶體管取代現(xiàn)有設(shè)計(jì)中部分晶體管。該選項(xiàng)的典型應(yīng)用是用DDC晶體管取代泄漏功耗大的晶體管來(lái)降低泄漏，或者取代SRAM位單元晶體管從而提高效能并降低最低工作電壓(Vmin)

　　聯(lián)華電子先進(jìn)技術(shù)開發(fā)部副總裁游萃蓉表示：“在接下來(lái)的幾周或者幾個(gè)月，我們期待看到聯(lián)華電子與SuVolta聯(lián)合開發(fā)的技術(shù)有良好的結(jié)果，從而進(jìn)一步驗(yàn)證DDC技術(shù)為我們的28納米 HKMG工藝帶來(lái)的功耗與效能優(yōu)勢(shì)。通過將SuVolta的先進(jìn)技術(shù)引進(jìn)到我們的HKMG工藝上，聯(lián)華電子將提供28納米移動(dòng)計(jì)算工藝平臺(tái)，以完善我們現(xiàn)有的Poly-SiON及HKMG技術(shù)。”

　　SuVolta總裁兼首席執(zhí)行官Bruce McWilliams博士表示：“聯(lián)華電子與SuVolta團(tuán)隊(duì)繼續(xù)將DDC技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米工藝，取得優(yōu)秀的進(jìn)展。通過合作，我們開發(fā)的工藝使得聯(lián)華電子客戶的設(shè)計(jì)易于移植。此外，SuVolta為業(yè)界提供選擇，以替代昂貴而復(fù)雜的工藝技術(shù)，從而推動(dòng)未來(lái)移動(dòng)器件的發(fā)展。”