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抗SEU存儲器的FPGA設計實現(xiàn)

作者: 時間:2012-09-16 來源:網(wǎng)絡 收藏

3.1 TMR模塊

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/148394.htm

  在TMR工作模式下可完成數(shù)據(jù)的寫入操作和讀取操作中的冗余判決。如果在讀取過程中發(fā)現(xiàn)有一片RAM中的數(shù)據(jù)與其它三片不同,則對該片RAM進行正確數(shù)據(jù)的回寫;如果發(fā)現(xiàn)三片RAM中的數(shù)據(jù)都不相同,則產(chǎn)生中斷信號。

  3.2 擴展?jié)h明碼模塊

  在擴展?jié)h明碼工作模式下,當寫入數(shù)據(jù)時,則對其進行編碼;當讀取數(shù)據(jù)時,則對其進行相應的解碼,并判斷數(shù)據(jù)是否出錯。如果一位錯則自動回寫正確值,如果兩位以上的錯誤,則產(chǎn)生中斷信號。

  3.3 模式選擇模塊

  在該模塊內(nèi)部設置有一個32位的模式配置寄存器。通過給模式配置寄存器的低18位進行預先置數(shù),可以設置檢錯糾錯電路的工作模式,同時也就設置了RAM的內(nèi)存配置情況。根據(jù)CPU的不同應用要求,模式控制模塊可以讓檢錯糾錯電路在擴展?jié)h明碼方式與TMR方式二者之間進行靈活的切換。

  3.4 控制邏輯模塊

  該電路模塊可根據(jù)電路所處的檢錯糾錯模式來控制相應的讀寫信號和內(nèi)存片選信號,以便正確訪問RAM內(nèi)容。

  4 的編程與

  接下來對每個模塊在過程的具體考慮進行重點介紹。

  4.1 TMR模塊

  對于TMR模塊的較為簡單。需要特別指出的是,考慮到對電路有效性的驗證,在寫通道上另外添加了錯誤注入模塊。圖4所示是其框圖,圖中,ctrl_err為錯誤注入控制信號,當ctrl_err為0時,表示不注入錯誤;當ctrl_err為1時,表示注入錯誤。這樣可以通過對ct-rl_err信號的控制來效應的模擬。add_err[7..0]為注錯數(shù)據(jù)信號。將add_err的低四位用0000~1111表示,可用于表示給數(shù)據(jù)添加錯誤的位置,它的高四位甩XX01~XX11表示,則可分別表示要給RAM組中的某個RAM添加錯誤。

  

  4.2 擴展?jié)h明碼模塊

  擴展?jié)h明碼模塊的設計主要包括編碼模塊、伴隨式生成模塊以及差錯校驗模塊等。編碼模塊可使用式(1)進行編碼,可生成r個校驗位。并將它們依次添加到碼元序列的第2i-1(其中i=0,…,r-1)個位置上。伴隨式生成模塊使用式(2)進行解碼,可對應生成校驗子S。差錯控制模塊可根據(jù)生成的校驗子S來判斷數(shù)據(jù)是否出錯,以及出錯的位數(shù),并用sef與def表示。如果數(shù)據(jù)沒有出現(xiàn)錯誤,則直接送出;如果數(shù)據(jù)中有一位出現(xiàn)錯誤,則對其進行回寫,同時將修正的數(shù)據(jù)送出;如果兩位出現(xiàn)錯誤,則輸出中斷信號int。

  需要注意的是,擴展?jié)h明碼模式下的地址信號需要進行額外的處理。由于本設計采用了128K×16bit的SRAM芯片,它有17位地址信號。但是,正如上面提到過的,SRAM芯片組中將有4KB的存儲空間工作于TMR模式,還有248KB的存儲空間將工作于擴展?jié)h明碼模式,而248KB的空間需要18位地址信號,這就要求有一個對地址信號進行變換的模塊。當?shù)刂沸∮?KB 時,電路工作于TMR模式下而無需對地址進行變換;當?shù)刂反笥诘扔? KB同時小于128 KB時,電路工作于擴展?jié)h明碼模式,地址信號會選中第一個124 Kx(16+8)bit的空間,此時也無需地址變換;而當?shù)刂反笥诘扔?28 KB,電路也工作于擴展?jié)h明碼模式下,此時地址信號應選中第二個124 Kx(16+81bit的空間,此時則應將地址值加上4KB,然后取新的地址的低17位加到第二個124 Kx (16+8) bit的存儲空間上即可。

  在上述TMR和擴展?jié)h明碼模塊的設計中,對出錯數(shù)據(jù)的回寫是設計中的重點和難點,主要應考慮是否回寫和何時回寫兩個問題。這兩個問題可由時序控制模塊來解決。它主要根據(jù)CPU的控制信號,適時的發(fā)出錯誤標示輸出使能信號flag_oe,從而改變CPU對RAM的讀寫狀態(tài),完成

  修正數(shù)據(jù)的正確回寫。

  另外,電路中的錯誤標示信號對整體設計的穩(wěn)定性至關重要。為了保證錯誤標示信號的穩(wěn)定,可在雙向傳輸門B的讀入端加一個鎖存器,鎖存器的鎖存使能端也可由時序控制模塊的flag_latch來控制。

  4.3 模式選擇模塊

  模式選擇模塊用于接收來自CPU的配置信號config和片選信號cs_fpga,以便將32位的配置數(shù)據(jù)寫入配置寄存器。該寄存器的低18位數(shù)據(jù)為模式配置數(shù)據(jù),地址信號通過與該數(shù)據(jù)進行比較,可使小于該地址的空間工作于TMR模式,大于該地址的存儲空間工作于擴展?jié)h明碼模式。

  本電路采用軟件故障注入法來進行電路的有效性驗證,所以,在電路設計中,可將模式配置寄存器的其余14位用于注入外部干擾數(shù)據(jù),并將其連接到ctrl_err與add_err信號,以用來進行軟件故障的注入,模擬對電路的影響。

  4.4 控制邏輯模塊

  該模塊可接收模式選擇模塊的模式信號mode,以對TMR模塊和擴展?jié)h明碼模塊輸出的讀寫信號和片選信號進行選擇,然后輸出到RAM芯片的引腳上去,從而CPU對RAM的正確訪問。尤其是當電路工作于擴展?jié)h明碼模式時,還需根據(jù)地址信號判斷當前對哪個124 Kx (16+8)bit的存儲空間片選有效。其具體電路如圖5所示。

  


5 結(jié)束語

  本設計中的抗的設計可通過ACTEL的ProAsic系列A3P400 實現(xiàn),并可使用與其配套的Liber08.5 EDA工具進行代碼的編輯和原理圖的繪制,并進行功能仿真與電路的綜合。通過仿真可以看到,本設計可以達到預期的目的,它既可實現(xiàn)的抗SEU設計,又可以滿足對存儲器使用靈活性的要求,而且具有功能完善、適應性強、電路簡單等特點,非常適用于星載RAM的抗輻射電路設計。


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