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嵌入式技術(shù)在電流傳感器蓄電池中的應(yīng)用

作者: 時間:2011-06-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/150594.htm

  說明:

  a 由于AT91SAM9261采用Dataflash的啟動的方式只能工作在溫度高于0℃低于70℃的范圍,一旦溫度低于0℃將無法啟動。為了解決這個問題,只能使ARM采用外部啟動即NOR FLASH啟動的方式,因此需要選擇啟動模式為外部啟動(BMS=0),以達到工業(yè)現(xiàn)場的溫度要求。

  b Norflash存儲器芯片選擇AMD公司的AM29LV160DB,其容量為4M*16bit,用于存儲BOOT程序,小型操作系統(tǒng)及小型程序。設(shè)計時采用字對齊方式,即芯片的A0地址線對應(yīng)ARM芯片的A1地址線。另外由于ATMEL官方提供的SAM-BA燒寫程序僅支持Dataflash和Nandflash,因此有必要修改SAM-BA的腳本文件以實現(xiàn)對Norflash的燒寫

  c Nandflash存儲器芯片選擇三星公司的K9F1208U0B,其存儲容量為存儲容量:64M*16bit, 采用wince或者linux的操作系統(tǒng)時使用該芯片中存儲操作系統(tǒng)和程序;如使用ucos之類的小型操作系統(tǒng)時,則該芯片可以省略不焊接,系統(tǒng)與BOOT程序存儲在Norflash即可。

  d Sdram芯片采用MT48LC16M16A2TG-75IT:D,每片容量為16M*16bit,本系統(tǒng)中采用兩片SDRAM構(gòu)成32數(shù)據(jù)總線。由于Sdram芯片為整個平臺的內(nèi)存,需要頻繁地與CPU進行數(shù)據(jù)交互,為了實現(xiàn)較好的信號完整性,在靠近ARM的地址和控制總線上串聯(lián)22歐姆平衡電阻吸收信號反射。當采用小型操作系統(tǒng)時候,操作系統(tǒng)可在ARM內(nèi)部的SRAM中運行,Sdram可以省略不焊接。

  e 擴展接口將ARM芯片的所有可用接口皆擴展出來,用于和擴展板連接。

  f 由于信號密集,同時需要將接口全部引出并保證良好的電磁兼容性效果,PCB采用六層板PCB設(shè)計方式,采用信號層——地層——信號層——電源層——地層——信號層的方式。

  為了保證高頻工作的效果,設(shè)計時考慮將兩片SDRAM的各總線設(shè)計為等長,同時采用兩面布局和蛇形走線等手段。

  3.2 擴展板部分設(shè)計

  擴展板的設(shè)計框圖如下:

  說明:

  a SPI flash芯片用于存儲采得的數(shù)據(jù)。此處將芯片的寫保護腳使用ARM的一個I/O口管理起來,以防上電或者掉電時修改片內(nèi)的數(shù)據(jù)。

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