基于ARM的鋼鐵材料裂紋電磁無損檢測(cè)電路設(shè)計(jì)
加入技術(shù)交流群
S3C2440A是近年來推出的一款基于ARM920T架構(gòu)的高性能、低功耗的嵌入式Soc處理器。其典型主頻400 MHz，最高可達(dá)533 MHz，CPU內(nèi)部集成SDRAM控制器、LCD控制器、4通道DMA、3通道UART、I2C總線、I2S總線、SD接口、PWM定時(shí)器、觸摸屏接口、8通道10位A/D控制器、camera接口等，非常方便系統(tǒng)開發(fā)，因此應(yīng)用十分廣泛[4]。在本設(shè)計(jì)中，S3C2440A控制芯片連接A/D轉(zhuǎn)換器、外接控制鍵盤、液晶顯示和存儲(chǔ)電路。
3.4.1 A/D轉(zhuǎn)換電路
A/D轉(zhuǎn)換器選用TI公司的ADS1110芯片。ADS1110是精密的連續(xù)自校準(zhǔn)△-∑型A/D轉(zhuǎn)換器，帶有差分輸入和高達(dá)16位的分辨率，提供內(nèi)置的2.048 V的基準(zhǔn)電壓，使用可兼容的I2C串行接口，可以在2.7 V至5.5 V的單電源下工作，ADS1110最高可以每秒采樣240次/s進(jìn)行轉(zhuǎn)換，片內(nèi)可編程的增益，放大器PGA提供高達(dá)8倍的增益并且允許以高分辨率對(duì)較小的信號(hào)進(jìn)行測(cè)量，使用靈活，可擴(kuò)展性強(qiáng)。ADS1110在設(shè)計(jì)中的應(yīng)用電路如圖4所示。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/152033.htm
本設(shè)計(jì)使用了單端輸入的方式，因此在信號(hào)輸入前，使用了一個(gè)加法電路保證輸入端電壓IN為正；同時(shí)為了保護(hù)ADS1110，防止過壓和瞬間電流沖擊，在輸入端設(shè)計(jì)了分壓和限流保護(hù)電路。I2C接口的數(shù)據(jù)端SDA和時(shí)鐘端SCL分別與S3C2440X控制器的M9、U8管腳相接，管腳配置成I2C工作模式。
3.4.2 鍵盤及其他控制電路
鍵盤電路的設(shè)計(jì)采用ZLG7290控制芯片[5],設(shè)計(jì)為4×4矩陣鍵盤，通過I2C總線與S3C2440A控制器進(jìn)行連接，按照I2C總線協(xié)議的要求，信號(hào)線SCL和SDA必須分別加上拉電阻，其典型值是10kΩ，鍵盤控制電路如圖5所示。鍵盤主要完成設(shè)置硬件系統(tǒng)各項(xiàng)功能的參數(shù)，包括選擇不同的脈沖電流值、工作模式、基本參數(shù)設(shè)置等，并且為了適應(yīng)今后硬件系統(tǒng)功能的擴(kuò)展，特別預(yù)留了F0～F45個(gè)按鍵作為候補(bǔ)功能按鍵使用。響應(yīng)通過延時(shí)處理程序，進(jìn)行按鍵的中斷完成，并且在處理程序中判斷按鍵是否彈起，保證每一次按鍵的有效性和準(zhǔn)確性，鍵盤按鍵的延長(zhǎng)時(shí)間設(shè)定為50 ms。
設(shè)計(jì)的外部存儲(chǔ)器采用2 MB的NorFlash (SST39VF160)、64 MB的NandFlsh (K9F1208)、2片32MB的SDRAM (HY57V56162 0FTP)，其中NorFlash用于存放執(zhí)行代碼，NandFlsh用于存儲(chǔ)鋼鐵材料數(shù)據(jù)參數(shù)值，SDRAM用于存放運(yùn)行代碼。
顯示電路由外接液晶屏構(gòu)成，因?yàn)镾3C2440A內(nèi)置了LCD控制器，并且支持STN液晶屏與TFT液晶屏，尺寸從3.5寸到12.1寸，屏幕分辨率可以達(dá)到1 024×768像素。為了簡(jiǎn)化電路，充分發(fā)揮ARM的性能，采用3.5寸TFT液晶屏，使用S3C2440A內(nèi)置了LCD控制器直接進(jìn)行控制。
聲光報(bào)警電路由峰鳴器和紅色發(fā)光二極管構(gòu)成。當(dāng)檢測(cè)到損傷裂紋時(shí)，驅(qū)動(dòng)蜂鳴器發(fā)聲，報(bào)警的同時(shí)LED燈閃亮。
4 測(cè)試實(shí)驗(yàn)
試驗(yàn)選用形狀相同的30根鋼管試樣進(jìn)行裂紋分選，采用最小分段二乘法對(duì)A/D采樣的數(shù)值進(jìn)行算法處理，為達(dá)到試驗(yàn)效果，其中部分鋼管人為造成各種表面裂紋，1號(hào)工件為理化檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)工件。試驗(yàn)表明本設(shè)計(jì)的電路系統(tǒng)對(duì)鋼鐵件表面損傷的檢測(cè)非常有效。選取部分鋼件，試驗(yàn)結(jié)果如表1所示，該試驗(yàn)可以使用多個(gè)性能指標(biāo)進(jìn)行標(biāo)樣。為了說明儀器檢測(cè)數(shù)據(jù)的差異性，表中的測(cè)量值為儀器的直接測(cè)量值。
測(cè)量顯示數(shù)據(jù)可以看出，測(cè)量值大于標(biāo)準(zhǔn)1號(hào)工件值32 200時(shí)表示試樣無裂紋，當(dāng)測(cè)量值小于標(biāo)準(zhǔn)1號(hào)工件值時(shí)表示試樣有裂紋，從而驗(yàn)證了鋼鐵儀器損傷后應(yīng)力發(fā)生變化，使得初始磁導(dǎo)率值下降， 實(shí)驗(yàn)達(dá)到了預(yù)期的效果。
本系統(tǒng)在電路設(shè)計(jì)上，以ARM微處理器為中心，充分利用了ARM處理器的豐富資源，簡(jiǎn)化了硬件設(shè)計(jì)。尤其是在激磁產(chǎn)生和人機(jī)接口部分，通過使用ARM處理器的PWM、I2C以及LCD控制器，使相關(guān)電路大大簡(jiǎn)化，并且易于軟件控制。設(shè)計(jì)電路簡(jiǎn)單、界面友好、各功能實(shí)現(xiàn)模塊化，具有良好的開放性，有利于功能擴(kuò)展和系統(tǒng)升級(jí)。
評(píng)論