瞄準(zhǔn)16/14nm檢測需求 漢微科明年產(chǎn)能翻三倍

　　半導(dǎo)體電子束檢測(E-beam Inspection)設(shè)備龍頭漢微科正全速擴(kuò)產(chǎn)。繼28和20奈米(nm)之后，2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代，對高解析度的電子束檢測設(shè)備需求將更加強(qiáng)勁，因而帶動漢微科提早展開布局，將于2013～2014年投入新臺幣10億元擴(kuò)建新廠房，并于2014下半年正式投產(chǎn)，挹注三倍設(shè)備產(chǎn)能。

　　漢微科財(cái)務(wù)長李學(xué)寒表示，自2012年開始，晶圓代工業(yè)者已逐步在28奈米先進(jìn)制程中導(dǎo)入高階電子束晶圓缺陷檢測設(shè)備，以克服電晶體密度大幅微縮后，傳統(tǒng)光學(xué)檢測方案不敷應(yīng)用的問題。隨著一線晶圓代工廠爭相在2013年推出20奈米制程，并接續(xù)于2014～2015年往下跨入16或14奈米世代，電子束檢測設(shè)備需求更將顯著上揚(yáng)，預(yù)估今年產(chǎn)值將上看2億美元，并于2014年飆升至3億美元。

　　因應(yīng)市場強(qiáng)勁需求，漢微科行銷副總經(jīng)理胡瑞卿強(qiáng)調(diào)，該公司已計(jì)劃今明2年各投資新臺幣5億元于南科辟建新的無塵室與設(shè)備產(chǎn)線，預(yù)估2014年下半年即可完工并隨即加入量產(chǎn)行列，有助旗下電子束檢測設(shè)備年產(chǎn)能三級跳，從現(xiàn)有的五十臺躍升至一百五十臺水準(zhǔn)，全面滿足晶圓廠部署20奈米以下制程的需求。

　　據(jù)悉，今年上半年漢微科已陸續(xù)接獲20奈米晶圓的電子束檢測設(shè)備訂單;同時(shí)也與主要晶圓廠攜手展開1x奈米FinFET晶圓檢測技術(shù)合作，可望于2014年開花結(jié)果，挹注另一波電子束檢測設(shè)備出貨成長動能。

　　李學(xué)寒透露，晶圓廠正馬不停蹄備戰(zhàn)先進(jìn)奈米制程，刺激半導(dǎo)體檢測技術(shù)加快演進(jìn)步伐，且相關(guān)設(shè)備需求也將逐年高漲。因此，漢微科將于今年底發(fā)表新一代eScan 500電子束檢測設(shè)備，除將解析度推升至3奈米水準(zhǔn)外，亦將整合跳躍式掃描系統(tǒng)(Leap Scan)和連續(xù)式掃描系統(tǒng)(Continuous Scan)，從而提高應(yīng)用價(jià)值與吞吐量，鞏固該公司目前在電子束晶圓檢測領(lǐng)域市占高達(dá)八成的領(lǐng)先地位。 由于美、日傳統(tǒng)光學(xué)檢測方案供應(yīng)商近來亦積極轉(zhuǎn)戰(zhàn)電子束應(yīng)用領(lǐng)域，漢微科正致力開發(fā)更前瞻的技術(shù)，期拉開技術(shù)差距。李學(xué)寒表示，該公司下一代產(chǎn)品將朝2奈米以下超高解析度邁進(jìn)，并采取多頭布局策略，針對10奈米極紫外光(EUV)微影方案，以及三維晶片(3D IC)矽穿孔(TSV)制程研發(fā)相應(yīng)的檢測設(shè)備;同時(shí)還將加碼投資多重光束電子束(Multi Column E-beam)技術(shù)，并于2014年底推出Beta版本設(shè)備，協(xié)助晶圓廠提高數(shù)倍1x奈米晶圓檢測速度。

　　事實(shí)上，半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為，晶圓制程走到1x奈米后，光學(xué)檢測幾乎面臨極限，電子束方案將順勢取而代之;漢微科主攻電子束檢測可謂押對寶，自2011年晶圓廠開始部署28奈米時(shí)，該公司就已在半導(dǎo)體晶圓前段制程缺陷檢測領(lǐng)域嶄露頭角，之后2年?duì)I收更屢創(chuàng)新高。今年第二季毛利率不僅維持70.4%，營收也達(dá)到新臺幣12億8,796萬元的出色表現(xiàn)，且預(yù)估第三季因客戶積極準(zhǔn)備量產(chǎn)20奈米，刺激相關(guān)檢測設(shè)備需求，該公司營收仍將微幅成長。