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C波段介質(zhì)振蕩器的研究與設(shè)計(jì)

作者: 時間:2012-02-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

3 DRO仿真電路
3.1 靜態(tài)偏置電路
在進(jìn)行之前,必須選擇合適的場效應(yīng)管并給其提供合適的直流偏置。在ADS元件庫中找到各器件模型,利用直流仿真器確定場效應(yīng)管的配置電路。
3.2 負(fù)阻電路
偏置電路之后,將場效應(yīng)管構(gòu)建為一個漏極容性反饋電路。負(fù)阻部件是通過DR同時與柵極和漏極的兩根微帶線進(jìn)行耦合,對GaAs FET進(jìn)行漏極電容性反饋實(shí)現(xiàn)的。仿真電路采用單電源設(shè)置FET的Vds和Id。在漏極加入負(fù)阻器件使FET產(chǎn)生負(fù)阻,可以通過晶體管的柵極的反射系數(shù)幅度來確定,使S(1,1)的幅值大于1,通常要大于1.2,此時場效應(yīng)管的源極輸出端接50 Ω的負(fù)載阻抗。加入反饋網(wǎng)絡(luò)后,晶體管滿足了不穩(wěn)定條件,然后通過其不穩(wěn)定區(qū)域來設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò),進(jìn)行最優(yōu)化設(shè)計(jì),至此負(fù)阻部件的設(shè)計(jì)完成。
3.3 完整電路
諧振器與負(fù)阻部件通過OSC_PORT相連接便構(gòu)成了的完整電路,在所期望的振蕩頻率上以下兩個條件同時需要得到滿足:
1)存在剩余負(fù)阻;
2)總電抗為零。
剩余負(fù)阻是建立的需要,當(dāng)負(fù)載獲得振蕩電路最大功率輸出時,負(fù)載實(shí)部阻抗應(yīng)為負(fù)阻器件實(shí)部阻抗的三分之一。在仿真過程中,使用ADS中的S參數(shù)仿真器得到電路的輸入阻抗。在實(shí)際電路的設(shè)計(jì)過程中,還需要調(diào)整諧振器與振蕩場效應(yīng)管的正確位置。給部件建立模型時必須注意它們的寄生參數(shù)會使得最終的振蕩器特性的寄生響應(yīng)增加,例如3次諧波對最終振蕩電路的影響,然而通過精細(xì)設(shè)計(jì)這些網(wǎng)絡(luò)與部件的參數(shù),最終振蕩電路的性能不會受到很大的影響。
利用ADS軟件的諧波平衡分析方法,可以得到以下的仿真結(jié)果:在5.9GHz的頻率上,其輸出功率超過9dBm,相位噪聲為-125dBc/Hz@10k Hz,-145dBc/Hz@100kHz。

4 設(shè)計(jì)實(shí)例
在本設(shè)計(jì)中,基板板材介電常數(shù)9.6,F(xiàn)ET選擇采用三菱公司的場效應(yīng)管MGF1801進(jìn)行設(shè)計(jì),通過偏置使其工作在Vds=6 V,Id=100 mA的工作點(diǎn)上。不加塊時,應(yīng)不產(chǎn)生振蕩或者振蕩頻率遠(yuǎn)離所需振蕩頻率;加上介質(zhì)塊后,蓋上諧振腔蓋板后,調(diào)節(jié)螺桿,如果螺桿向下旋進(jìn)時頻率增加,則說明介質(zhì)塊的諧振頻率牽引住了電路的自激頻率,此時可以調(diào)整到所需振蕩頻率,如果螺桿向下旋進(jìn)時頻率減小或時增時減,則說明介質(zhì)塊的諧振頻率沒有牽引住電路的自激頻率,應(yīng)調(diào)整介質(zhì)塊的位置:當(dāng)調(diào)至所需頻率后,再看頻率是否穩(wěn)定,此時振蕩頻率應(yīng)在所需頻率處有小范圍地上下浮動。通過調(diào)試可以得到以下的測試結(jié)果:圖5所示為并聯(lián)反饋型結(jié)構(gòu)DRO的實(shí)物圖,圖6所示為DRO的輸出功率測試結(jié)果和100 kHZ時的相位噪聲測試結(jié)果。在5.9 GHz的頻率上,其輸出功率超過10 dBm,相位噪聲為-100 dBc/Hz@10 kHz,-124dBc/ Hz@100kHz,頻率穩(wěn)定度為8.4×10-6。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/155243.htm

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5 結(jié)束語
在負(fù)阻原理的基礎(chǔ)上,利用HFSS和ADS軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款頻率為5.9GHz的介質(zhì)振蕩器,其性能良好,實(shí)驗(yàn)結(jié)果達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。與傳統(tǒng)的等效電路設(shè)計(jì)方法相比,該方法更為快捷、簡單,該形式的振蕩器簡單、便于調(diào)試,對于雷達(dá)接收機(jī)本振的設(shè)計(jì)具有重要的參考價值。


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