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基于數(shù)字信號處理器的IGBT驅(qū)動(dòng)電路可靠性分析與設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-03-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1.2.2 柵極電荷要求

的開通和關(guān)斷通過柵極的充放電來實(shí)現(xiàn),因此,柵極電阻選擇是否適當(dāng)直接關(guān)系到的動(dòng)態(tài)特性。

1.2.3 耐固性要求

處于關(guān)斷期間,施加于IGBT集電極-柵極電容上的dv/dt可導(dǎo)致有電流流過柵極。假如此電流足夠大,在柵極電阻上產(chǎn)生的電壓,有可能導(dǎo)致IGBT誤開通,因此,較小的柵極電阻可增加IGBT的耐固性(即防止dv/dt帶來的誤開通)。但是,較小的柵極電阻使得IGBT的開通di/dt變大,會(huì)導(dǎo)致較高的dv/dt,增加了續(xù)流二極管恢復(fù)時(shí)的浪涌電壓。

因此,在柵極電阻時(shí)要兼顧到這二個(gè)方面的問題。

1.2.4 柵極功率要求

IGBT開關(guān)要消耗來自柵極電源的功率。其功耗受柵極正、負(fù)偏壓的差值ΔVGE,柵極總電荷QG和工作開關(guān)頻率f的影響,式(1)給出了電源平均功率。

PAV=ΔVGE×QG×f(1)

2 PWM口驅(qū)動(dòng)能力

IGBT驅(qū)動(dòng)信號的產(chǎn)生可通過模擬和兩種方式來實(shí)現(xiàn)。隨著微處理技術(shù)的發(fā)展(包括處理器、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)器件),以其優(yōu)越的性能在交流調(diào)速、運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。采用數(shù)字構(gòu)成的調(diào)速系統(tǒng),由處理器集成的PWM模塊產(chǎn)生功率單元(IGBT)的驅(qū)動(dòng)信號。而PWM接口驅(qū)動(dòng)能力及其與IGBT的接口直接影響到系統(tǒng)工作的。

2.1 TMS320LF2407A與TMS320F240PWM口驅(qū)動(dòng)能力比較

目前,數(shù)字信號處理器芯片供應(yīng)廠商主要有TI公司、AD公司、Motorolar公司等,本文對交流調(diào)速系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的TI公司的TMS320LF2407A與TMS320F240兩個(gè)產(chǎn)品的PWM口驅(qū)動(dòng)能力進(jìn)行了比較,從而為可靠的驅(qū)動(dòng)電路提供了有力數(shù)據(jù)。據(jù)數(shù)據(jù)手冊可知,長期在絕對最大額定條件下運(yùn)行將影響器件的。表1給出F240工作電壓絕對額定值以及在推薦工作條件下PWM口驅(qū)動(dòng)輸出電流能力。表2給出LF2407A工作電壓絕對額定值以及在推薦工作條件下PWM口驅(qū)動(dòng)輸出電流能力。

表1 F240驅(qū)動(dòng)輸出電流能力

電源電壓范圍/V-0.3~7
輸出高電平/V3.53.02.4
輸出源電流/mA-13-18.5-23
輸出低電平/V0.60.40.2
輸出吸收電流/mA14.5105

表2 LF2407A驅(qū)動(dòng)輸出電流能力

電源電壓范圍/V-0.3~4.6
PWM口PWM1~6PWM7~12
輸出高電平/V2.42.4
輸出源電流/mA-2-4
輸出低電平/V0.30.3
輸出吸收電流/mA24

由表2可以看出,LF2407A兩個(gè)事件管理器中的PWM口驅(qū)動(dòng)能力不同。同時(shí),比較表1及表2可以看出F240與LF2407A雖然均采用CMOS技術(shù),但是,F(xiàn)240使用5VCMOS電平而LF2407A使用3.3VCMOS電平低壓供電方式,因此,PWM口驅(qū)動(dòng)能力不同。為了保證系統(tǒng),在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)充分考慮以上特點(diǎn)。

2.2 F240與LF2407APWM接口驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

微處理器采用不同的集成技術(shù),在設(shè)計(jì)接口電路時(shí)應(yīng)充分考慮其驅(qū)動(dòng)能力及電平匹配。對于F240,采用5VCMOS技術(shù),直接與TTL電平相兼容,不必考慮一些特殊接口電路。但從可靠性設(shè)計(jì)角度出發(fā),可在處理器與驅(qū)動(dòng)芯片之間增加隔離驅(qū)動(dòng)芯片,如圖2所示。

圖2 PWM口驅(qū)動(dòng)框圖

LF2407A采用3.3V CMOS技術(shù),該技術(shù)使得電路實(shí)現(xiàn)了低功耗工作,同時(shí)也帶來了一些問題,即接口電平匹配與驅(qū)動(dòng)能力問題。圖3給出了3.3V CMOS輸出到MOSFET的輸入接口電路。許多MOSFET在一定的負(fù)載電流下要達(dá)到飽和導(dǎo)通柵極電平大于3.3V,因此設(shè)計(jì)中采用標(biāo)準(zhǔn)5V CMOS緩沖器74HC240將3.3V CMOS轉(zhuǎn)換到5VCMOS電平。

圖3 3.3V CMOS輸出接口電路

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