半導體廠擴產 力成進補

　　不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產能提升20%，明年4月量產，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。

　　這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。

　　研究機構統計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球之冠，市占率37%;東芝排名第二，市占率31%。據了解，受惠日圓貶值，以及蘋果和大陸品牌下單量攀升，加上先前調節(jié)性減產，讓東芝NAND Flash已無法滿足市場需求，決定7月起開始增產。

　　稍早東芝表示，為確保NAND Flash次世代制程產品及3D存儲器的生產空間，將于旗下位于三重縣四日市第三座12寸NAND Flash廠「Fab 5」的第二期工程興建新廠，8月底動工興建，2014年夏天完工，但新廠工程的設備導入時間、量產時間、產能及生產計劃等細節(jié)，將視市場動向決定。

　　東芝的Fab 5第一期工程廠房由東芝投資興建，包括東芝和美商新帝(SanDisk)合資的NAND Flash生產線。隨著三星決定加碼擴產，將今年資本支出上修至24兆韓元，其中13兆韓元用于強化DRAM、NAND Flash及邏輯IC競爭力，讓東芝和晟碟決定加快建廠腳步。