集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(四)
摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能,文中一一有分解說(shuō)明。
關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個(gè)PIN腳功能(上接第10期第6頁(yè))
* 軟停止技術(shù)
如圖7所示,如果UVLO端電壓降到1.25V以下的待機(jī)狀態(tài),但仍舊高于0.4V的關(guān)斷閾值,SSSR電容用60μA電流源進(jìn)入軟停止。一旦SSSR端達(dá)到1.0閾值,SS端和SSSR端兩者會(huì)立即放電到GND。軟停止功率變換器逐漸地放掉輸出電容上的能量,令輸出電壓?jiǎn)蜗蛳陆?,在打呃模式下出現(xiàn)相同的現(xiàn)象。除非SSSR以120μA放電。在OVP的情況下,VCC,UV過(guò)熱限制或VREF UV條件下,功率變換器為硬關(guān)斷,控制器的所有輸出立即變?yōu)榈碗娖健?/p>本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/160938.htm
* 軟關(guān)斷技術(shù)
軟關(guān)斷端給出一個(gè)附加的柔性,允許功率變換器進(jìn)入U(xiǎn)VLO期間和打呃模式下。如果SS OFF端拉上到5V的REF端,功率變換器在任何條件下都將硬關(guān)斷。硬關(guān)斷驅(qū)動(dòng)每個(gè)輸出都立即到低電平。
* 過(guò)熱保護(hù)
內(nèi)部的過(guò)熱關(guān)斷電路,提供了在最高結(jié)溫超出時(shí)保護(hù)集成電路。此時(shí)芯片為160℃,控制器強(qiáng)制進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài),偏置穩(wěn)壓器被禁止,在過(guò)熱關(guān)斷期間,SS和SSSR電容全部放電,控制器在結(jié)溫降到140℃以下時(shí)進(jìn)入正常起動(dòng)順序。
* 應(yīng)用信息
移相全橋式工作模式(PSFB)移相全橋拓?fù)涫菑娜珮蛲負(fù)渑缮鰜?lái)的,當(dāng)適當(dāng)?shù)丶庸た梢允筆SFB拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)初級(jí)功率MOSFET的零電壓開(kāi)關(guān),而且保持恒定的開(kāi)關(guān)頻率,ZVS特點(diǎn)是可以減少開(kāi)關(guān)損耗,降低EMI發(fā)射,PSFB的實(shí)現(xiàn)系采用LM5046完成的,工作過(guò)程描述如下:
(1)工作狀態(tài)1(功率傳輸,主動(dòng)模式)
PSFB拓?fù)涞墓β蕚鬏斈J较笥查_(kāi)關(guān)的全橋,當(dāng)橋路對(duì)角線的兩個(gè)MOSFET導(dǎo)通時(shí)(HO1和LO2或HO2和LO1)。一個(gè)功率傳輸周期從初級(jí)到次級(jí)開(kāi)始丁作,圖8給出對(duì)角開(kāi)關(guān)HO1和LO2工作的狀態(tài)。在此狀態(tài),所有VIN加到功率變壓器的初級(jí),由次級(jí)線圈降壓。
評(píng)論