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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

作者: 時間:2012-03-19 來源:網(wǎng)絡 收藏

(2)工作狀態(tài)2(主動到從動傳輸)
在功率傳輸周期結(jié)束后,PWM關斷開關LO2,在初級側(cè),折回的負載電流加上勵磁電流經(jīng)由SW2結(jié)點返回VIN,從主動到從動傳輸在HO2體二極管或HO2導通時完成,無論誰早一些完成。延遲總是插入的,其由設置RD2給出合適的值,HO2僅在體二極管正偏時導通,在此模式下,Imag +Ilplak作為電流源給SW2結(jié)點處的寄生電容充電。在輕載條件下,它用更長的時間將SW結(jié)點推向VIN。
主動到從動的傳輸時間可以用下式近似求出:
c.jpg
此處,Im是勵磁電流,NTR是變壓器匝比,Ilpesk是輸出濾波電感電流的峰值,Cparasitic是結(jié)點SW2處的寄生電容。
(3)工作狀態(tài)3(自由運轉(zhuǎn)/從動模式)
在自由運轉(zhuǎn)時與傳統(tǒng)全橋初級四個全部關斷不同,在PSFB拓撲中變壓器的初級被頂部兩個(HO1、HO2)短路,或者被底部兩個短路,在CLK周期內(nèi),頂部MOSFETHO1和HO2保持共同導通。進一步在二次側(cè)很像傳統(tǒng)全橋拓撲,同步整流的MOSFET兩個都被激活,
在此狀態(tài),沒有能量傳輸,濾波電感電流通過同步整流的MOSFET在運行。
(4)工作模式4(從動到主動傳輸)
在開關周期結(jié)束時,也就是振蕩器測定出電流CLK周期后,初級開關HO1和二次側(cè)FET,SR1同時關斷,結(jié)點SW1處的電壓開始降落到GND,這是由于功率變壓器的漏感加上傳輸電感和SW1處的寄生電容之間的諧振造成的,勵磁電感在此時被短路,因此它沒有任何動作,LC諧振的結(jié)果形成半個正弦波,其周期取決于漏感和寄生電容,正弦半波的峰值是負載電流的函數(shù),由從動到主動傳輸時間由下式給出:
d.jpg
當由仔細增加漏感或增加一個外部串入電感來調(diào)諧時,正弦諧振波形峰值由LO1體二極管箝住,在此時ZVS在LO1開關時實現(xiàn)。
CLK周期的開關順序如下:開關LO1主動期令對角的LO1和HO2導通,傳輸功率,功率傳輸周期結(jié)束,此時PWM關斷HO2緊隨著是主動到從動傳輸。此時LO2導通,在自由運轉(zhuǎn)時,LO1和LO2兩者激活,從這個順序可以推斷,右上部和左下部MOS導通(HO2、LO2)其由PWM信號終止,結(jié)束
功率傳輸周期,SW2結(jié)點總是見到主動到從動的傳輸,進一步,MOSFET導通橋的左上和左下,總值CLK結(jié)束時關斷,此自由運轉(zhuǎn)周期,SW1結(jié)點總是見到從動到主動的傳輸。
(1)控制方法選擇
LM5046是一個多功能的PWM控制IC,它既可以組成電流型控制,也可以組成電壓型控制,選擇控制模式通常取決于設計師的偏好。下面必須考慮的是選擇控制方法。電流控制型能固有地平衡磁密,全橋拓樸等其它雙輸出拓樸,必須防止磁芯飽合,任何不對稱的伏秒積加到兩相之間都會導致磁密不平衡,這會導致變壓器的DC偏移,伏秒積不平衡可以由電流型控制解決,在電流型控制中,初級電流信號狀態(tài)與相應誤差信號比較去控制占空比,在穩(wěn)定狀態(tài)下,這個結(jié)果在每一相工作終止時由脈寬調(diào)節(jié)相同的峰值電流,于是有了相同的伏秒積。
電流控制型對噪聲和次諧波振蕩是敏感的,當采用電壓控制型時,使用大的斜波給PWM,這樣就不敏感了。電壓型控制采用電壓前饋的方法有了很好的線路瞬態(tài)響應。當用電壓控制型時,可以用一支DC電容與變壓器初級線圈串聯(lián),來防止任何的磁密不平衡導致的變壓器磁芯飽合。

* 用LM5046作電壓控制型
LM5046作電壓型控制時,外部電阻RFF接到VIN和RAMP端,電容CFF接到RAMP和AGND,RAMP端需要建起一個鋸齒波調(diào)制斜波信號,如圖8。在RAMP端信號的斜率將隨著輸入電壓變化。改變的斜率提供必要的線路前饋信息以改善線路的瞬態(tài)響應。以此做電壓型控制,用恒定的誤差信號,導通時間的變化反比于輸入電壓(VIN)以此穩(wěn)定變壓器初級的伏秒積,用線路前饋的斜波給PWM控制所需,從而提高線路調(diào)整率,在改變輸入電壓時作環(huán)路補償。進一步電壓控制型對噪聲不太敏感。不需要前沿濾波。因此它對寬輸入電壓變化的情況是一個好的選擇,電壓型控制需要Ⅲ型補償網(wǎng)絡,可以完整的結(jié)合L-C的輸出濾波器的極點。
推薦CFF電容值的范圍從100PF到1800PF,參考圖8,可以看到CFF值必須足夠小,以便當時鐘脈寬在50nS時能放電,內(nèi)部放電MOSFET的RDS(ON)為5.5Ω,RFF的值由下式計算:
e.jpg
例如,設VRAMP為1.5V,在VIN MIN為36V時,fosc=400kHz,CFF=470pF,這時RFF為125kΩ。(未完待續(xù))
 

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/160938.htm


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