IBM、特許半導(dǎo)體、英飛凌和三星推出采用45納米工藝制造的首批芯片
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這批首次采用45納米工藝制造的面向下一代通信系統(tǒng)的工作電路,擁有成熟的硅性能,運(yùn)用了聯(lián)盟伙伴聯(lián)合開發(fā)的工藝。這批芯片在聯(lián)合開發(fā)團(tuán)隊(duì)的駐地——IBM設(shè)在紐約州East Fishkill的300毫米晶圓工廠生產(chǎn)。已成功通過驗(yàn)證的功能塊,有英飛凌提供的標(biāo)準(zhǔn)庫元件、輸入/輸出元件,還有聯(lián)盟開發(fā)的嵌入式存儲器。英飛凌已在首批300毫米晶圓上實(shí)現(xiàn)了特殊電路,以測試這個(gè)復(fù)雜的工藝,并取得產(chǎn)品架構(gòu)互動(dòng)方面的初步經(jīng)驗(yàn)。
首批設(shè)計(jì)套件融合了四方的設(shè)計(jì)專長,能夠幫助客戶更早轉(zhuǎn)換至新的工藝,同時(shí)繼續(xù)推動(dòng)單設(shè)計(jì)、多晶圓廠制造能力,從而最有效地發(fā)揮他們的設(shè)計(jì)優(yōu)勢,并最終為消費(fèi)者帶來實(shí)實(shí)在在的利益
。45納米低功耗工藝,預(yù)期將于2007年底在特許半導(dǎo)體 、IBM和三星的300毫米晶圓廠安裝并得到全面鑒定。
“首批45納米產(chǎn)品的速度、創(chuàng)新性和完備性,充分展示了四大公司之間的合作力量,能夠?yàn)榭蛻魩砀叩膬r(jià)值。我們的初期硬件測試結(jié)果顯示,45納米結(jié)點(diǎn)器件的性能,至少比65納米結(jié)點(diǎn)器件高出30%。產(chǎn)品開發(fā)人員可以充滿信心地利用該設(shè)計(jì)工藝,”IBM半導(dǎo)體研發(fā)部副總裁兼聯(lián)合開發(fā)聯(lián)盟主管Lisa Su說,“憑借這個(gè)由行業(yè)領(lǐng)袖組成的聯(lián)盟在世界各地的優(yōu)良研發(fā)資源和大量的知識資產(chǎn),我們能夠比單兵作戰(zhàn)更快、更有效地向客戶和市場推出新的制造工藝和設(shè)計(jì)??蛻艨色@得的另一個(gè)好處是靈活性——他們可以對這項(xiàng)工藝進(jìn)行評估,因?yàn)镚DSII具有廣泛的兼容性?!?
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