控制驅(qū)動(dòng)VR的方法

　　首先，一個(gè)高速體二極管比較器用于檢測(cè)QF開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的體二極管，它在變壓器復(fù)位時(shí)間間隔結(jié)束時(shí)發(fā)信號(hào)，偏巧如圖6所示，這個(gè)比較器還將檢測(cè)出的初級(jí)側(cè)MOSFET Q1關(guān)斷后令其體二極管正好導(dǎo)通。

　　使用該比較器僅單獨(dú)為開(kāi)啟QF，并確保在Q1進(jìn)入關(guān)斷的時(shí)間。這樣變壓器將絕不容許復(fù)位。為防止這一點(diǎn)，用一個(gè)低速比較器檢測(cè)QF的源漏電壓升至2.5V。當(dāng)QF源漏電壓升過(guò)2.5V時(shí)，設(shè)置了一個(gè)預(yù)置鎖存調(diào)節(jié)，它將使高速體二極管比較器能輸出工作。在QF源漏電壓降過(guò)-300mV的體二極管比較器閾值，QF就立刻導(dǎo)通，并設(shè)置QF的控制鎖存。在高速比較器輸出變成高電平。預(yù)置鎖存即刻復(fù)位，開(kāi)啟電路在下次導(dǎo)通事件中就處在恰當(dāng)狀態(tài)。從體二極管比較器檢測(cè)出體二極管的導(dǎo)通固有延遲期間，到QF導(dǎo)通的通道，體二極管傳導(dǎo)變壓器的磁化電流。雖然在此間隔內(nèi)，在QF體二極管有導(dǎo)通損耗，但與之相比，這已是QF遇到的最小的損耗。如果QF在此糟糕的時(shí)間間隔還保持關(guān)斷的話(huà)。為完全消除這個(gè)損耗，用一個(gè)相同的預(yù)先控制的方案，用來(lái)開(kāi)啟VR，雖然這在理論上是可以的，但實(shí)際上會(huì)相當(dāng)困難，因?yàn)榇颂帥](méi)有PWM控制信號(hào)的脈沖沿存在，此時(shí)系變壓器完全復(fù)位的狀態(tài)。

　　圖6 VR預(yù)鎖存波形

　　一個(gè)輸出起始設(shè)置在零的計(jì)數(shù)器控制著關(guān)斷電路。采用將計(jì)數(shù)器輸出全部設(shè)置為0，也即在PWM控制信號(hào)的下降沿及QF的柵源電壓之間實(shí)際上為零延時(shí)，結(jié)果QF的柵源電壓，VR的漏源電壓以及與門(mén)輸出的三個(gè)波形示于圖7(a)。

　　圖7 VF的關(guān)斷波形

　　(a)非最佳延遲(b)最佳延遲

　　VF關(guān)斷電路中的與門(mén)更多的作用如VR開(kāi)啟控制電路中的或門(mén)，給一個(gè)命令到計(jì)數(shù)器，以直接令計(jì)數(shù)器向上或向下記數(shù)。在VF的關(guān)斷電路的情況，一個(gè)高電平從與門(mén)直達(dá)計(jì)數(shù)器以便在下個(gè)周期中向上記數(shù)。當(dāng)計(jì)數(shù)器為下個(gè)周期增加一個(gè)記數(shù)值，則PWM控制器的下降沿與VF的柵源電壓之間的延遲就會(huì)增加，從與門(mén)的輸出脈沖就會(huì)變窄，這個(gè)反饋影響將持續(xù)到VF的柵源電壓和VR的漏源電壓能夠同步。當(dāng)延遲最佳化時(shí)，波形示于圖7(b)。

　　如在VR控制執(zhí)行電路中所描述，電路將會(huì)在兩個(gè)延遲值之間抖動(dòng)，一個(gè)是最佳值，而另一個(gè)比最佳值略長(zhǎng)一些。