ST推出SO8N封裝8M及16M串行代碼存儲(chǔ)閃存
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M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M x 8)串行閃存,具有先進(jìn)的寫保護(hù)機(jī)制,支持速度高達(dá)50MHz的SPI兼容總線的存取操作,能夠把程序快速加載到設(shè)備的RAM內(nèi)存中。用一條四線高速串行接口替代并行存儲(chǔ)器接口,這種設(shè)計(jì)可以使用更小的封裝,需要的引腳的數(shù)量較少,從而實(shí)現(xiàn)了節(jié)省成本和電路板空間的目的。此外,系統(tǒng)CPU或ASIC的引腳數(shù)量也相應(yīng)地被減少。
采用0.11納米制造技術(shù),ST的設(shè)計(jì)在150mm寬的SO8封裝的裸片上實(shí)現(xiàn)了高達(dá)16Mbit的存儲(chǔ)容量。新產(chǎn)品還有其它型號(hào)的封裝,包括 5 x 6mm MLP8。M25P16還有一款208mm寬的SO8W封裝
。全部都是無鉛封裝,并達(dá)到了RoHS法令的規(guī)定。 ST擁有各種不同系列的串行閃存產(chǎn)品,新的8Mbit和16-Mbit芯片增加了其重要的核心產(chǎn)品的范圍,使產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度從512-Kbit一直擴(kuò)展到128-Mbi。
這兩款新閃存IC的工作電壓范圍2.7V到3.6V, 工作溫度范圍-40到+85攝氏度。軟件功能包括整體擦除和扇區(qū)擦除、靈活的頁編程指令和寫保護(hù),JEDEC標(biāo)準(zhǔn)兩字節(jié)電子簽名簡(jiǎn)化了設(shè)備身份驗(yàn)證,同時(shí)向后兼容一字節(jié)電子簽名。數(shù)據(jù)保存期限20年,每個(gè)扇區(qū)可承受100,000次擦寫循環(huán)。
M25P80和M25P16的樣品現(xiàn)已上市銷售,預(yù)計(jì)2006年第四季度開始量產(chǎn),批量訂貨單價(jià)分別為0.95 美元(M25P80)和1.20美元 (M25P16)。
評(píng)論