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STM32單片機硬件關(guān)鍵基礎(chǔ)精華及注意事項

作者: 時間:2012-09-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


消除影響ADC精度的因素(1)

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/170908.htm

  1、ADC模塊自身的誤差

  積分線性誤差(ILE)和微分線性誤差(DLE)依賴于ADC模塊的設(shè)計,校準它們是困難的。進行多次轉(zhuǎn)換再做平均可以減小它們的影響。偏移和增益誤差可以簡單地使用ADC模塊的自校準功能補償。

  2、電源噪聲,尤其是開關(guān)電源(SMPS)的高頻噪聲

  線性穩(wěn)壓器具有較好的輸出。強烈建議在整流輸出端連接濾波電容。如果使用開關(guān)型電源,建議使用一個線性穩(wěn)壓器為模擬部分供電。建議在電源線和地 線之間連接具有良好高頻特性的電容,即在靠近電源一端應(yīng)放置一個0.1μF和一個1~10μF的電容。每一對VDD和VSS管腳都需要使用單獨的去藕電 容。VDDA管腳必須連接到2個外部的去藕電容器(10nF瓷介電容+1μF的鉭電容或瓷介電容)對于100腳和144腳封裝的產(chǎn)品,可以在VREF+上 連接一個外部的ADC的參考輸入電壓,從而改善對輸入低電壓的精度。

  消除影響ADC精度的因素(2)

消除影響ADC精度的因素

消除影響ADC精度的因素(3)

  1、電源輸出不穩(wěn),隨負載變化

  ADC模塊使用VREF+或VDDA作為模擬參考,數(shù)字數(shù)值的輸出是這個參考電壓與模擬輸入信號的比值,VREF+必須在各種負載情況下保持穩(wěn)定。可以使用諸如LM236作為VREF+的參考電壓,這是一個2.5V的電壓參考二極管

  2、模擬輸入信號的噪聲

  平均值方法:適合處理不頻繁變化的模擬輸入信號,增加一個外部濾波器消除高頻噪聲。

  3、將最大的信號幅度與ADC動態(tài)范圍匹配

  選擇參考電壓(僅適合于具有VREF+引腳的產(chǎn)品),使用一個外部的前級放大器。

  4、I/O引腳間的串擾(臨近數(shù)字信號的翻轉(zhuǎn))

  模擬信號線的周圍布置地線產(chǎn)生屏蔽,能有效地減小串擾干擾噪聲。

  消除影響ADC精度的因素(4)


消除影響ADC精度的因素

VDD與VDDA的處理

  供電引腳

  共有7種封裝規(guī)格,共有多組VDD/VSS引腳,以及一組VDDA/VSSA引腳。

STM32共有7種封裝規(guī)格,共有多組VDD/VSS引腳,以及一組VDDA/VSSA引腳

  盡管所有VDD和所有VSS在內(nèi)部相連,在芯片外部仍然需要連接上所有的VDD和VSS。因為導線較細,內(nèi)部連接負載能力較差,抗干擾的能力也較差,如果漏接VDD或VSS,容易造成內(nèi)部線路損壞,同時抗干擾能力下降。

  VDD與VSS的去藕電容

  每對VDD與VSS都必須在盡可能靠近芯片處分別放置一個10nF~100nF的高頻瓷介電容。在靠近VDD3和VSS3的地方放置一個4.7μF~10μF的鉭電容或瓷介電容。

每對VDD與VSS都必須在盡可能靠近芯片處分別放置一個10nF~100nF的高頻瓷介電容

VDD與VDDA的關(guān)系

  VDDA為所有的模擬電路部分供電,包括:

VDD與VDDA的關(guān)系

  ADC模塊,復位電路,PVD(可編程電壓監(jiān)測器),PLL,上電復位(POR)和掉電復位(PDR)模塊,控制VBAT切換的開關(guān)等。即使不 使用ADC功能,也需要連接VDDA,強烈建議VDD和VDDA使用同一個電源供電。VDD與VDDA之間的電壓差不能超過300mV,VDD與VDDA 應(yīng)該同時上電或調(diào)電。

  供電方案

供電方案

  如何達到最優(yōu)功耗水準

  低功耗模式

如何達到最優(yōu)功耗水準

I/O引腳的處理

  1、如果需要減小I/O端口的電流消耗,可以根據(jù)具體情況配置I/O端口的狀態(tài):

  輸入端口????配置為浮空輸入,帶外部上拉的輸出端口????配置為推挽輸出并輸出’1’,,帶外部下拉的輸出端口????配置為推挽輸出并輸出’0’。

  2、未用的內(nèi)部外設(shè):

  保持為關(guān)閉和默認的復位狀態(tài):

  不要進行重映射,復位寄存器RCC_APB1RSTR和RCC_APB2RSTR。關(guān)閉對應(yīng)的時鐘,時鐘使能寄存器:RCC_AHBENR、RCC_APB2ENR和RCC_APB1ENR。

  進入SLEEP模式的省電操作

  1、為了降低系統(tǒng)功耗,進入SLEEP模式時,執(zhí)行如下操作流程:

  關(guān)閉無需等待中斷或事件的外設(shè)時鐘;設(shè)置進入機制(Sleep-Now或Sleep-on-Exit);設(shè)置系統(tǒng)進入SLEEP模式。

  2、退出睡眠模式的方式:

  WFI(等待中斷),可由任一外設(shè)中斷觸發(fā),WFE(等待事件),可由任一外設(shè)事件觸發(fā)。

  進入STOP省電模式的操作

  為了降低系統(tǒng)功耗,進入STOP模式的操作流程:

  關(guān)閉設(shè)置為普通IO功能的GPIO口時鐘;

  關(guān)閉已開啟時鐘的外設(shè)的使能位(尤其是ADC、DAC、USB等帶模擬模塊的外設(shè));

  關(guān)閉已開啟時鐘的外設(shè)的時鐘;

  關(guān)閉預取緩沖區(qū),并將Flash等待周期置為0;

  設(shè)置PWR_CR中LPDS位選擇電壓調(diào)節(jié)器的模式:

  正常模式:電壓調(diào)節(jié)器處于正常供電狀態(tài);

  低功耗模式:可降低電壓調(diào)節(jié)器自身的功耗,

  將MCU從STOP模式喚醒的時間有所增加;

  設(shè)置系統(tǒng)進入STOP模式。

  退出STOP省電模式的操作

  1、退出停止模式:

  以WFI進入時:任意外部中斷線的中斷;

  以WFE進入時:任意外部中斷線的事件;

  不包括PVD和USB喚醒事件。

  2、從STOP模式恢復后,時鐘的配置返回到復位時的狀態(tài)(系統(tǒng)時鐘為HSI),用戶程序必須重新配置整個時鐘系統(tǒng),包括PLL。

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