DSP片外高速海置SDRAM存儲系統(tǒng)設計

REFR命令，使計數(shù)器的值減為0，再繼續(xù)完成余下的存取操作。

2.2 SDRAM的初始化    

當某個CE空間配置為SDRAM空間后，必須首先進行初始化。用戶不需要控制初始化的每一個步驟，只需要向EMIF SDCTL寄存器的INIT位寫1，申請對SDRAM作初始化。然后，EMIF就會自動完成所需要的各步操作。初始化操作不能在進行SDRAM存取過程中進行。整個初始化過程包括下面幾個步驟：    

①對所有的SDRAM空間發(fā)出DCAB命令；    
②執(zhí)行3個REFR命令；    
③對所有的SDRAM空間發(fā)出MRS命令。

2.3頁面邊界控制    

SDRAM屬于分頁存儲器，EMIF的SDRAM控制器會監(jiān)測訪問SDRAM時行地址的情況，避免訪問時發(fā)生行越界。為了完成這一任務，EMIF在內部有四個頁面寄存器，自動保存當前打開的行地址，然后與后續(xù)存取訪問的地址進行比較。需要說明的是，當前存取操作結束并不會引起SDRAM中已經(jīng)激活的行被立即關閉，EMIF的控制原則是維持當前的打開狀態(tài)，除非必須關閉。這樣做的好處是可以減少關閉／重新打開之間的命令切換時間，使接口在存儲器訪問的控制過程中充分利用地址信息。    

對于C620X，每個CE空間包含1個頁面寄存器(只對配置為SDRAM空間有效)，因此C620X每個CE空間1次只能激活1頁。進行比較的地址位數(shù)取決于SDCTL寄存器中SDWID位的值。如果SDWID=O，該CE空間構成頁面的大小為512，比較的邏輯地址是位23～11；如果SDWID=1，該CE空間SDRAM構成頁面的大小為256，比較的邏輯地址是位23～10。一旦發(fā)現(xiàn)存取訪問發(fā)生了頁面越界，EMIF會自動執(zhí)行DCAB操作，然后再開始新的行訪問。

2．4訪問地址的移位    

由于SDRAM行邏輯地址與列邏輯地址復用相同的EMIF 引腳，所以EMIF接口需要對行地址與列地址進行相應的移位處理。地址的移位處理由SDCRL寄存器中的SDWlD位控制。    另外，對于SDRAM，因為輸入地址也是控制信號，因此需要說明以下幾點：    

①RAS有效期間的高位地址信號會被EMIF內部SDRAM控制器鎖存，以保證執(zhí)行READ和WRT命令時選通正確的bank；

②READ／WRT操作期間，EMIF會保持pre-charge信號為低(C620X是SDAl0)，以防止READ／WRT命令執(zhí)行后發(fā)生auto pre—charge操作。

2.5接口時序的設計    

對于C620X，EMIF與SDRAM的接口時序由SDCTL寄存器控制。EMIF提供了5個時序參數(shù)，其中3個在SDCTL寄存器中設置，另外2個為固定值，如表3所列。在分析接口時序的配合情況時，需要計算“富裕時間”tmargin的大小，這是在考慮了SDRAM芯片的器件手冊提供的最壞情況之后，得到的時序上的一個裕量。至于tmargin值的大小，是系統(tǒng)設計層需要考慮的問題，具體要求隨不同的系統(tǒng)而異，而且與印制板的實際布線情況以及負載的情況密切相關。

3  系統(tǒng)設計中IS42S16400芯片的應用

3.1 C6201與IS42S16400的接口實現(xiàn)

由于IS42S16400屬于16位字寬的64 Mb SDRAM芯片，而C6201的EMIF只提供32位字寬的同步外存儲接口，為了使整個系統(tǒng)的存儲空間保持連續(xù)，使用2片SDRAM與DSP芯片組成實際大小為16 MB的外部存儲系統(tǒng)，如圖1所示。圖1中IS42S16400芯片各引腳含義如下：CS，片選；CLK，系統(tǒng)同步時鐘；RAS，行地址選擇；CAS，列地址選擇；WE，讀／寫使能；CKE，時鐘使能；DQMU、DQML，高低字節(jié)使能；A[13：123]，Bank地址選擇線；A[11：0]，行、列地址線；DQ[15：0]，雙向數(shù)據(jù)端口。    

由圖1可以看出，雖然C620l提供32位地址尋址能力，但是經(jīng)EMIF直接輸出的地址信號只有EA[21：2]。一般情況下，EA2信號對應邏輯地址A2，但這并不意味著DSP芯片訪問外存時只能進行word(32位)的存取。實際內部32位地址的最低2～3位經(jīng)譯碼后由BEx輸出，是能夠控制字節(jié)訪問的。更高位邏輯地址經(jīng)譯碼后輸出CE[3：0]。