IR推出專攻高頻開關(guān)電源應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型大功率150kHz IGBT

功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務(wù)器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關(guān)電源電路。

全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富先生表示：“特別是在價格與性能同樣重要的應(yīng)用中，最新WARP2 IGBT器件是功率因數(shù)校正 (PFC) 及零電壓開關(guān) (ZVS) 應(yīng)用系統(tǒng)的最佳選擇。器件的通態(tài)損耗低于功率MOSFET，可創(chuàng)造更大效益，其拖尾電流極短，能有效工作于150kHz或以下頻率?！?/P>

嚴(yán)國富先生稱，IGBT的電流密度優(yōu)于功率MOSFET，可減低器件數(shù)目，有助節(jié)省成本和改善功率密度。

全新WARP2 IGBT以IR的薄晶片技術(shù)制成，確?？s短少數(shù)載流子耗盡時間，加快關(guān)斷過程。此外，器件的拖尾電流極短、關(guān)斷切換損耗 (EOFF) 極低，可讓設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)更高工作頻率。

WARP2 IGBT憑著更完善的開關(guān)性能，配合正溫度系數(shù)特性和更低柵開通電荷，有效提高電流密度。若以并聯(lián)模式操作，它們可以像功率MOSFET一樣發(fā)揮極佳的電流均分性能。與功率MOSFET不同，它們的通態(tài)損耗能保持固定不變。

在TO-247封裝內(nèi)，全新IGBT能處理高達(dá)50A電流，電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出85%；若采用TO-220封裝，則可處理高達(dá)20A電流，電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出18%。

新器件現(xiàn)已投入供應(yīng)。數(shù)據(jù)表詳載于IR網(wǎng)站www.irf.com