驅(qū)動(dòng)器 UCC27201 上電時(shí)刻 HO 引腳誤脈沖的分析及解決

摘要

在隔離 DC/DC 電源中經(jīng)常會(huì)使用到帶浮地功能的雙通道驅(qū)動(dòng)器 UCC27201。實(shí)際應(yīng)用發(fā)現(xiàn)，某些場(chǎng)景中，其HO 引腳會(huì)在上電時(shí)刻產(chǎn)生誤脈沖。該誤脈沖導(dǎo)致系統(tǒng)有開機(jī)異常的風(fēng)險(xiǎn)。本文通過實(shí)際仿真和電路原理分析，詳細(xì)介紹了誤脈沖產(chǎn)生的機(jī)理，隨后提供了兩個(gè)針對(duì)該誤脈沖的解決方案，并給予了詳細(xì)解釋。

1、隔離電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

某隔離電源系統(tǒng)完成 DC/DC 的轉(zhuǎn)換，采用全橋拓?fù)洌敵鲭妷簽?12V。其中，全橋的原邊側(cè)驅(qū)動(dòng)器就采用了UCC27201，共計(jì)兩顆。

1.1 隔離電源系統(tǒng)簡(jiǎn)述

該隔離電源系統(tǒng)完成寬范圍輸入電壓(36V~72V)到 12V 的轉(zhuǎn)換，輸出功率 350W。系統(tǒng)采用帶同步整流功能的硬開關(guān)全橋拓?fù)?HSFB)。圖 1 所示的是該系統(tǒng)的方框圖，包含有主控芯片 LM5035，置于原邊側(cè)的驅(qū)動(dòng)器UCC27201，置于副邊側(cè)的驅(qū)動(dòng)器 UCC27324 和隔離器等器件。

圖 1：隔離電源系統(tǒng)框圖

1.2 UCC27201 的應(yīng)用

UCC27201 是帶有浮地功能的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，具有高端輸出和低端輸出兩個(gè)通道，可以應(yīng)用于 BUCK，半橋和全橋等拓?fù)洹Ｔ撔酒_的描述如下：

● VDD (Pin1) ：供電引腳，范圍是 8V~17V，典型值為 12V;

● VSS (Pin7) ：芯片地引腳;

● HI, LI (Pin5, Pin6) ：高端驅(qū)動(dòng)輸入和低端驅(qū)動(dòng)輸入;

● HO, LO (Pin3, Pin8) ：高端驅(qū)動(dòng)輸出和低端驅(qū)動(dòng)輸出;

● HB, HS (pin2, pin4) ：浮地供電和浮地引腳，用于高端驅(qū)動(dòng)供電;

如圖 2，在本電源系統(tǒng)中，一顆 UCC27201 的兩路輸出驅(qū)動(dòng)全橋同一側(cè)橋臂的兩個(gè) MOSFET，主要連接網(wǎng)絡(luò)標(biāo)示如藍(lán)色字體。另一顆 UCC27201 的兩路輸出則是驅(qū)動(dòng)全橋的另一側(cè)橋臂。

圖 2：驅(qū)動(dòng)器 UCC27201 的實(shí)際應(yīng)用

采用上述應(yīng)用電路的實(shí)際驅(qū)動(dòng)信號(hào)見圖 3，包括了軟啟動(dòng)和正常運(yùn)行等兩個(gè)階段。

在軟啟動(dòng)階段，標(biāo)示為 Q1 的 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)占空比遠(yuǎn)小于 50%，而 Q2 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)占空比則是超過了50%，與 Q1 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)占空比保持為互補(bǔ)關(guān)系。Q3 和 Q4 驅(qū)動(dòng)信號(hào)的關(guān)系同上。

在正常運(yùn)行階段，Q1~Q4 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)占空比全部都接近 50%。相互之間的關(guān)系如圖 3 所示，即 Q1 和 Q2 保持互補(bǔ)，Q3 和 Q4 保持互補(bǔ)。

圖 3：全橋驅(qū)動(dòng)信號(hào)

2、UCC27201 HO 引腳的誤脈沖及根因分析

實(shí)際應(yīng)用中，由于不同的 UCC27201 的供電電壓設(shè)計(jì)有差異，當(dāng)其 Cboot 電容充電過快時(shí)，HO 引腳會(huì)出現(xiàn)誤脈沖。該誤脈沖的根因是 Cboot 過快的上電電壓耦合到了 HO 引腳，同時(shí)過快的上電速率導(dǎo)致芯片內(nèi)部對(duì) HO 管腳下拉的 MOSFET 不能及時(shí)導(dǎo)通，最終造成了 HO 引腳輸出誤脈沖。

2.1 HO 引腳的誤脈沖

實(shí)際測(cè)試上述電源系統(tǒng)時(shí)發(fā)現(xiàn)，開機(jī)時(shí) UCC27201 的 HO 引腳有誤脈沖，如圖 4 (CH1 為 HO;CH4 為 HB 與HS 的差分電壓，亦即 Cboot 電容兩端的電壓;CH2 為 LO;CH3 可忽略)。該誤脈沖幅度最大可超過 7V，與 LO交疊后會(huì)造成全橋高端 MOSFET 和低端 MOSFET 的共通，進(jìn)而導(dǎo)致系統(tǒng)開機(jī)存在風(fēng)險(xiǎn)。