ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能

 
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。 通態(tài)電阻極低，動(dòng)態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來(lái)了機(jī)會(huì)。

商用照明應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)更高的功率密度和更低的成本的日益增長(zhǎng)的需求激勵(lì)半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個(gè)這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實(shí)例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS (ON)  450 mΩ，該器件的電阻值比上一代MDmesh技術(shù)降低了55%，而這一優(yōu)異特性并不是以犧牲對(duì)其溫度特性的精確控制為代價(jià)的。

除通過(guò)最小化電阻值來(lái)大幅度降低通態(tài)損耗外，這個(gè)600V產(chǎn)品的主要特性還包括一個(gè)節(jié)能的驅(qū)動(dòng)電路，該電路使MOSFET能夠在較低的VGS(th)（柵閾壓）電壓下驅(qū)動(dòng)更高的電流。 事實(shí)上，雖然閾壓范圍（2V）沒有變化，但是驅(qū)動(dòng)該器件所需的VGS電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)電路的性能，保證了器件具有優(yōu)異的防止電路意外導(dǎo)通的噪聲抑制性能。

STD11NM60N的主要特性包括一個(gè)優(yōu)異的二極管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用戶能夠把工作溫度保證在正常的工作溫度范圍內(nèi)。因?yàn)閭鲗?dǎo)損耗和功耗都很低，該器件還有助于客戶降低散熱器的尺寸，從而大大節(jié)省了電路板的空間。

該芯片精巧的尺寸，再加上微型的DPAK/IPAK和TO-220FP 封裝，使之特別適合照明應(yīng)用產(chǎn)品，例如，大功率因數(shù)電子鎮(zhèn)流器和高強(qiáng)度放電燈（HID）電子鎮(zhèn)流器。 

STD11NM60N現(xiàn)已量產(chǎn)。 訂購(gòu)10,000件，單價(jià)0.90美元。 

技術(shù)說(shuō)明:
ST的MDmeshTM (多漏極網(wǎng)格TM)技術(shù)的卓越性能歸功于一個(gè)創(chuàng)新的漏極結(jié)構(gòu)，在這個(gè)漏極結(jié)構(gòu)中，漏極是半導(dǎo)體縱向延伸的垂直P型帶與橫向N型源極薄帶組成的隔離陣列。 在新一代 MDmesh技術(shù)MDmesh II中，得到進(jìn)一步改良的P型帶陣列比前一代MDmesh技術(shù)降低通態(tài)電阻 55% RDS (ON) ，而這個(gè)優(yōu)異的性能不是以犧牲對(duì)溫度特性的精確控制為代價(jià)的。

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