低電壓大電流VRM拓撲結構和均流技術研究

(4)

均流的效果取決于 的差值。當 和 相等時，均流就有非常好的效果。而且MOSFET導通電阻的不同和電感值的不同對均流的效果沒有影響。

2.3 仿真結果及分析

圖7顯示了兩支路參數不同時，在不同負載情況下的均流效果。

(a) 輕載時均流結果

圖7 (b) 重載時均流結果

在這兩個并行的支路中，一個支路中使用MOSFET的型號為2N6756,導通電阻為 ，輸出濾波電感為1.2uH,另一個模塊使用MOSFET的型號為2N6763，導通電阻為 ，輸出濾波電感為1uH，兩個模塊的MOSFET的導通電阻不一樣，濾波電感值也不一樣，當負載從輕載到重載變化時，均流效果是很好的，但是由于電感值不一樣，電感的等效電阻值有差異， MOSFET選擇的導通電阻較大，對電路的性能影響較大，所以在負載電流較大時兩個模塊的均流差一些。

2.4 電流分享控制技術的概括和拓展

2.4.1 電流分享控制技術的概括

前面討論了當每一個模塊的線圈電阻相同時新型均流技術的應用。為了總結這項技術的應用，必須研究線圈電阻和分布電阻不同時的情況。

圖8顯示了當 與 不同時這項技術的應用，我們假設 和 的比率為確定的。

(5)

在圖8中的控制不同于圖6中的控制。有兩個額外的比例放大器加在均流控制環(huán)1中。這兩個放大器被用來調整在不同模塊中電流分布比率。在圖8中， 和 是

(6)

(7)

在兩個均流控制環(huán)中的兩個積分器使得 等于 。從式(2)、(3)和(7)可以得到下列關系：

(8)

所以，如果 和 滿足下列關系， 和 就相等：

(9)

通過控制 和 的比率，可以確定電流分布比率。實際上，在均流控制環(huán)的設計中，不一定只使用一個積分補償器，其它的補償器，像兩極和一個零極的補償器可以調整均流控制環(huán)的帶寬以改善電流的響應速度。

圖8 均流控制的拓展應用

2.4.2 電流分享控制技術的拓展應用

提出的電流分享技術可以用于其它的拓撲和隔離轉換變換器，并且不是只能使用輸出參數，事實上，在很多并行的轉換器中當不同的模塊有共同的參數點就可以使用這項技術。唯一需要改變的就是均流控制環(huán)中的比例放大器的參考值。