低電壓大電流VRM拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和均流技術(shù)研究

(4)

均流的效果取決于 的差值。當(dāng) 和 相等時，均流就有非常好的效果。而且MOSFET導(dǎo)通電阻的不同和電感值的不同對均流的效果沒有影響。

2.3 仿真結(jié)果及分析

圖7顯示了兩支路參數(shù)不同時，在不同負(fù)載情況下的均流效果。

(a) 輕載時均流結(jié)果

圖7 (b) 重載時均流結(jié)果

在這兩個并行的支路中，一個支路中使用MOSFET的型號為2N6756,導(dǎo)通電阻為 ，輸出濾波電感為1.2uH,另一個模塊使用MOSFET的型號為2N6763，導(dǎo)通電阻為 ，輸出濾波電感為1uH，兩個模塊的MOSFET的導(dǎo)通電阻不一樣，濾波電感值也不一樣，當(dāng)負(fù)載從輕載到重載變化時，均流效果是很好的，但是由于電感值不一樣，電感的等效電阻值有差異， MOSFET選擇的導(dǎo)通電阻較大，對電路的性能影響較大，所以在負(fù)載電流較大時兩個模塊的均流差一些。

2.4 電流分享控制技術(shù)的概括和拓展

2.4.1 電流分享控制技術(shù)的概括

前面討論了當(dāng)每一個模塊的線圈電阻相同時新型均流技術(shù)的應(yīng)用。為了總結(jié)這項技術(shù)的應(yīng)用，必須研究線圈電阻和分布電阻不同時的情況。

圖8顯示了當(dāng) 與 不同時這項技術(shù)的應(yīng)用，我們假設(shè) 和 的比率為確定的。

(5)

在圖8中的控制不同于圖6中的控制。有兩個額外的比例放大器加在均流控制環(huán)1中。這兩個放大器被用來調(diào)整在不同模塊中電流分布比率。在圖8中， 和 是

(6)

(7)

在兩個均流控制環(huán)中的兩個積分器使得 等于 。從式(2)、(3)和(7)可以得到下列關(guān)系：

(8)

所以，如果 和 滿足下列關(guān)系， 和 就相等：

(9)

通過控制 和 的比率，可以確定電流分布比率。實際上，在均流控制環(huán)的設(shè)計中，不一定只使用一個積分補償器，其它的補償器，像兩極和一個零極的補償器可以調(diào)整均流控制環(huán)的帶寬以改善電流的響應(yīng)速度。

圖8 均流控制的拓展應(yīng)用

2.4.2 電流分享控制技術(shù)的拓展應(yīng)用

提出的電流分享技術(shù)可以用于其它的