降低開關電源開關損耗的原理
隨著開關頻率的升高,MOSFET的另一顯著功耗與MOSFET打開、關閉的過渡時間有關。圖3顯示MOSFET導通、斷開時的漏源電壓、漏極電流和MOSFET損耗。在功率損耗曲線下方,開關轉換期間的功耗比MOSFET導通時的損耗大。由此可見,功率損耗主要發(fā)生在開關狀態(tài)轉換時,而不是MOSFET開通時。
MOSFET的導通和關斷需要一定的過渡時間,以對溝道充電,產(chǎn)生電流或?qū)系婪烹?,關斷電流。MOSFET參數(shù)表中,這些參數(shù)稱為導通上升時間和關斷下降時間。對指定系列中,低導通電阻MOSFET對應的開啟、關斷時間相對要長。當MOSFET開啟、關閉時,溝道同時加有漏極到源極的電壓和導通電流,其乘積等于功率損耗。三個基本功率是:
P=I*E
P=I2*R
P=E2/R
對上述公式積分得到功耗,可以對不同的開關頻率下的功率損耗進行評估。
MOSFET的開啟和關閉的時間是常數(shù),當占空比不變而開關頻率升高時(圖5),狀態(tài)轉換的時間相應增加,導致總功耗增加。例如,考慮一個SMPS工作在50%占空比500kHz,如果開啟時間和關閉時間各為0.1s,那么導通時間和斷開時間各為0.4s。如果開關頻率提高到1MHz,開啟時間和關閉時間仍為0.1s,導通時間和斷開時間則為0.15s。這樣,用于狀態(tài)轉換的時間比實際導通、斷開的時間還要長。
可以用一階近似更好地估計MOSFET的功耗,MOSFET柵極的充放電功耗的一階近似公式是:
EGATE=QGATE×VGS,
QGATE是柵極電荷,VGS是柵源電壓。
在升壓變換器中,從開啟到關閉、從關閉到開啟過程中產(chǎn)生的功耗可以近似為:
ET=(abs[VOUT-VIN]×ISW×t)/2
其中ISW是通過MOSFET的平均電流(典型值為0.5IPK),t是MOSFET參數(shù)表給出的開啟、關閉時間。
MOSFET完全導通時的功耗(傳導損耗)可近似為:
ECON=(ISW)2×RON×tON,
其中RON是參數(shù)表中給出的導通電阻,tON是完全導通時間(tON=1/2f,假設最壞情況50%占空比)。
考慮一個典型的A廠商的MOSFET:
RDSON=69mW
QGATE=3.25nC
tRising=9ns
tFalling=12ns
一個升壓變換器參數(shù)如下:
VIN=5V
VOUT=12V
ISW=0.5A
VGS=4.5V
100kHz開關頻率下每周期的功率損耗如下:
EGATE=3.25nC×4.5V=14.6nJ
ET(rising)=((12V-5V)×0.5A×9ns)/2=17.75nJ
ET(falling)=((12V-5V)×0.5A×12ns)/2=21nJ
ECON=(0.5)2×69mW×1/(2×100kHz)=86.25nJ.
從結果可以看到,100kHz時導通電阻的損耗占主要部分,但在1MHz時結果完全不同。柵極和開啟關閉的轉換損耗保持不變,每周期的傳導損耗以十分之一的倍率下降到8.625nJ,從每周期的主要功耗轉為最小項。每周期損耗在62nJ,頻率升高10倍,總MOSFET功率損耗增加了4.4倍。
另外一款MOSFET:
RDSON=300mW
QGATE=0.76nC
TRising=7ns
TFalling=2.5ns.
SMPS的工作參數(shù)如下:
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