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最大消耗380nA電流的電壓基準(zhǔn)源設(shè)計

作者: 時間:2011-08-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
芯片在Micromanipulator 8860高精度探針臺和高精度溫度控制臺上進(jìn)行測試,測試儀器為Agilent4155A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀,芯片測試結(jié)果小結(jié)如表1所示。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/178694.htm

  

  圖5是不同溫度下輸入電源與輸出的關(guān)系圖。當(dāng)電源大于2.5 V時,電壓電路開始正常工作,由于用了共源共柵結(jié)構(gòu)來提高電源抑止比,最小輸入電壓降不下去。在測量的80顆芯片中,輸出電壓的平均值為1.211 V,最小值為1.172 V,值為1.244 V,與仿真結(jié)果1.251 V相近,誤差主要來自三極管模型的誤差以及PTAT支路匹配管的失調(diào)。在2.5~6 V的工作電壓范圍內(nèi),測得的線性電壓調(diào)整率平均值為0.025%,最小值為0.021%,值為0.042%。

  

  圖6是不同溫度下電壓電路與電源電壓的關(guān)系。電壓基準(zhǔn)電路在正常工作時與電源電壓無關(guān),與溫度成比例。在20~100℃之間,室溫下工作時小于250 nA,100℃時工作電流不超過380 nA,與仿真結(jié)果吻合。在6 V工作電壓下,功耗不超過2.28μW。

  

  圖7是芯片的輸出電壓與溫度的關(guān)系圖?;鶞?zhǔn)電壓溫度系數(shù)的漂移受工藝參數(shù)的影響,如負(fù)溫度特性三極管的Vbe溫度系數(shù)在圓片不同位置,不同lot中的變化,PTAT匹配晶體管版圖上的失調(diào)等。在測試的80顆芯片中,溫度在20~100℃之間變化時,溫度系數(shù)在50 ppm/℃以下的有43顆,50~100 ppm/℃的有34顆,100~150 ppm的有4顆。

  6 結(jié) 語

  測試結(jié)果表明,電源電壓由2.5~6 V變化時,線性調(diào)整率平均為0.025%,溫度在20~100℃之間變化時,測得的平均溫度系數(shù)是64 ppm/℃。但是該電壓基準(zhǔn)電路由于采用了共源共柵結(jié)構(gòu),最小工作電壓2.5 V有點(diǎn)偏高,采用低壓共源共柵結(jié)構(gòu)將會獲得更優(yōu)的性能。

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