半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及特殊設(shè)計(jì)要求

摘要：通過(guò)對(duì)電力半導(dǎo)體模塊結(jié)構(gòu)的介紹，以及對(duì)其主要原材料性能的分析，進(jìn)一步闡述了各主要結(jié)構(gòu)材料對(duì)電力半導(dǎo)體模塊性能的影響。

關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體；模塊；質(zhì)量差異

1 引言

電力半導(dǎo)體模塊是分立半導(dǎo)體器件的進(jìn)一步發(fā)展，它是現(xiàn)代電力電子設(shè)備的主要器件。由于它具有體積小，外殼與電極絕緣，可靠性高，安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，因此，在國(guó)外得到了廣泛的應(yīng)用。近十幾年來(lái)在我國(guó)也迅速地得到推廣應(yīng)用，并且已有很多廠家引進(jìn)了制造技術(shù)或自行開(kāi)發(fā)。但由于各廠家對(duì)模塊的設(shè)計(jì)和工藝了解程度的不同，導(dǎo)致生產(chǎn)的產(chǎn)品在技術(shù)指標(biāo)和質(zhì)量上存在很大的差異，特別是國(guó)內(nèi)還存在著模塊電流越做越大的趨勢(shì)，嚴(yán)重地誤導(dǎo)了用戶(hù)的使用，因此，為了確保電力電子設(shè)備的性能，有必要對(duì)電力半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu)進(jìn)行介紹。

2 電力半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

電力半導(dǎo)體模塊是將多只半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)封裝在一起的器件。它具有體積小，外殼與電極絕緣的特點(diǎn)，因此，可以將多只模塊放在同一塊散熱器上，以縮小電力半導(dǎo)體整機(jī)的體積。

通常，200A以上的分立式電力半導(dǎo)體器件采用平板式壓接結(jié)構(gòu)，為雙面散熱；200A以下的器件采用螺栓式焊接或壓接結(jié)構(gòu)，為單面散熱。

電力半導(dǎo)體模塊和分立式電力半導(dǎo)體器件一樣，也具有焊接和壓接兩種結(jié)構(gòu)形式，如圖1所示。它與分立式半導(dǎo)體器件所不同的是它的電極與外殼絕緣，并且壓接式模塊也是采用單面散熱。

(a)模塊 (b)螺栓元件 (c)平板元件

圖1 電力半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)圖

電力半導(dǎo)體器件的熱阻與功耗的關(guān)系如式（1），式（2）所示。

R_ja==R_jc＋R_ca=R_jc＋R_cs＋R_sa（1）

P=0.785V_TMI_AV＋0.215V_T0I_AV（2）

式中：R_ja為模塊芯片與環(huán)境之間的熱阻；

R_jc為模塊的結(jié)殼熱阻；

R_ca為模塊外殼與環(huán)境之間的熱阻；

R_cs為模塊外殼與散熱器之間的接觸熱阻；

R_sa為散熱器的熱阻；

T_j為模塊芯片的溫度；

T_a為模塊的使用環(huán)境溫度；

P為器件的通態(tài)耗散功率；

V_TM為器件的通態(tài)峰值壓降；

I_AV為額定通態(tài)平均電流；

V_T0為器件的門(mén)檻電壓。

由于模塊采用絕緣的陶瓷片和單面散熱結(jié)構(gòu)，增加了熱阻，導(dǎo)致在同等芯片尺寸和同等散熱條件下，模塊的電流容量降低了，因此，對(duì)模塊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料選取也另有特殊的要求。

3 模塊常用絕緣材料的的特點(diǎn)及選取

模塊外殼基板與電極絕緣，同時(shí)還要利用外殼散熱，因此，要求其基板和電極之間的絕緣材料不但應(yīng)具有良好的絕緣性能（絕緣電壓≥2500VRMS），而且要具有良好的導(dǎo)熱性能，以及耐高溫（>150℃），并有良好的機(jī)械性能，熱膨脹系數(shù)，抗壓性能等。常用作組裝模塊用的絕緣材料有，Al₂O₃、BeO、AlN及DCB瓷片等。其性能見(jiàn)表1。