半導體模塊的結(jié)構(gòu)特點及特殊設計要求
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| 材料名稱 | 熱導率W/m℃（25℃） | 線膨脹系數(shù)10－6/℃（25～400℃） | 絕緣強度kV/mm（25℃） | 電阻率Ω·cm（25℃） |
|---|---|---|---|---|
| Al2O3 | 24～28 | 7.3 | 10 | >1014 |
| BeO | 250～300 | 8 | 10 | >1014 |
| AlN | 120～270 | 5.0 | ≥15 | >1012 |
| DCB | — | 7.4(150～200℃) | 10 | >1014 |
BeO作為絕緣導熱材料早期廣泛應用于壓接式模塊，是4種材料中熱導率最高的材料，但由于它具有毒性，而且價格較貴，故現(xiàn)在很少采用。
高性能AlN的熱導率接近于BeO，作為取代BeO的優(yōu)選材料，現(xiàn)廣泛應用于壓接式電力半導體模塊中。
DCB瓷片是通過特殊的工藝將銅箔燒在陶瓷基片上（常用的陶瓷基片材料為Al2O3）上。它的特點是熱膨脹系數(shù)與硅片接近，利用它制作小電流模塊時可以節(jié)省玻璃鈍化芯片的下鉬片，不僅減少了材料，同時還降低了材料的熱阻和接觸熱阻，因此，它廣泛應用于焊接式模塊中。
綜上所述，可用于模塊中的絕緣導熱材料的性能有很大的差異，因此，采用不同的絕緣材料組裝的同一結(jié)構(gòu)的模塊，其熱學性能就會有很大的差異，從而導致允許通過的電流容量不同。所以，為了保證模塊的性能，現(xiàn)在國際上通常在焊接式模塊中采用DCB瓷片，壓接式模塊中采用AlN瓷片作為絕緣導熱材料。
4 芯片的要求
由于模塊化是將多只芯片封裝在一只外殼內(nèi)，因此要求其性能要盡可能地保持一致。
采用陶瓷片雖然解決了絕緣問題，但其導熱性能不怎么理想，就是導熱性最好的材料BeO的熱導率與銅的熱導率相比也差很多，所以，模塊的熱阻比分立式半導體器件的大很多，而模塊又是采用單面散熱，因此，只能通過增大芯片的面積或降低芯片的功耗來彌補其缺點。這就要求模塊芯片的通態(tài)壓降要盡可能的低才能滿足要求。
5 選用模塊需要注意的事項
不同廠家生產(chǎn)的模塊因其設計和工藝的不同，其產(chǎn)品的技術(shù)指標會有很大的差別，特別是一些不具備設計能力和檢驗手段的小廠，其生產(chǎn)的模塊的質(zhì)量更是無法保證，因此，在選用時需要特別注意以下幾點。
1）絕緣材料的選取
由于不同絕緣材料的熱導率有很大的差別，其價格也相差很大，因此，導致不同廠家生產(chǎn)的同一外型結(jié)構(gòu)的模塊，其實際允許通過的電流容量存在很大的差異。
2）芯片的選取
為了保證模塊達到額定電流的容量，首先，要保證芯片的通態(tài)壓降；其次，要保證芯片的電流密度，即芯片的直徑。芯片是密封在外殼內(nèi)的，直徑是無法看到的，只有通過測試通態(tài)壓降等參數(shù)才能了解芯片的性能。
3）焊接模塊的焊接孔洞
影響焊接模塊質(zhì)量的主要因素是模塊的焊接質(zhì)量，特別是焊接孔洞和虛焊的發(fā)生，將嚴重影響產(chǎn)品的導熱和導電性能。其產(chǎn)生的主要原因是焊接過程中助焊劑產(chǎn)生的氣泡沒有排出去，殘留在焊接面內(nèi)，形成孔洞；或者在焊接前對焊接面的清洗不凈，導致虛焊等。
4）模塊基板的形狀與接觸熱阻
模塊的熱量要通過模塊的基板傳導出去，因此，模塊基板與散熱器接觸的好壞，即模塊基板與散熱器的接觸熱阻，直接影響模塊的散熱效果；焊接模塊在生產(chǎn)過程中如果工藝不合理，其模塊的基板通常會產(chǎn)生中間向上凹的現(xiàn)象，因此，當將模塊固定在散熱器上時，模塊的中間部分不能與散熱器和很好接觸，使散熱器不能充分發(fā)揮作用，導致模塊無法通過額定電流，通過很小的電流就會燒毀。
5）模塊電流容量的誤區(qū)
目前，國外商品化的臂對式晶閘管模塊最大的僅有500A，整流管模塊最大的為700A，而國內(nèi)模塊有越做越大的趨勢，甚至做到幾千A。從熱學上考慮，由于模塊是單面散熱，若模塊的電流容量做得過大，其消耗的功率必將增大，當模塊的電流容量達到一定的數(shù)值時，需要模塊及散熱器的熱阻非常小，這采用常規(guī)的散熱方法是無法達到的；特別是對于大電流模塊，用于散熱的基板面積很大，要保證模塊基板的整個平面與散熱器具有良好的接觸單靠模塊的幾個緊固螺栓是很難達到的，如若接觸不良或局部接觸不上，模塊與散熱器的接觸熱阻將增加幾倍或幾十倍以上，模塊電流容量將大大下降。所以，某些模塊雖然標稱幾千A，而在實際應用中是很難達到其標稱額定電流容量的，因此，模塊并不是電流越大越好。
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