單片開關(guān)電源設計概述及程序流程圖

圖2（b）為改進型基本反饋電路，只需增加一只穩(wěn)壓管VDZ和電阻R1，即可使負載調(diào)整率達到±2％。VDZ的穩(wěn)定電壓一般為22V，必須相應增加反饋繞組的匝數(shù)，以獲得較高的反饋電壓UFB，滿足電路的需要。

圖2（c）是配穩(wěn)壓管的光耦反饋電路。由VDZ提供參考電壓UZ，當輸出電壓UO發(fā)生波動時，在光耦內(nèi)部的LED上可獲得誤差電壓。因此，該電路相當于給TOPSwitch增加一個外部誤差放大器，再與內(nèi)部誤差放大器配合使用，即可對UO進行調(diào)整。這種反饋電路能使電壓調(diào)整率達到±1％以下。

圖2（d）是配TL431的光耦反饋電路，其電路較復雜，但穩(wěn)壓性能最佳。這里用TL431型可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器來代替普通的穩(wěn)壓管，構(gòu)成外部誤差放大器，進而對UO作精細調(diào)整，可使電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率均達到±0.2％，能與線性穩(wěn)壓電源相媲美。這種反饋電路適于構(gòu)成精密開關(guān)電源。

在設計單片開關(guān)電源時，應根據(jù)實際情況來選擇合適的反饋電路，才能達到規(guī)定的技術(shù)指標。

4單片開關(guān)電源典型產(chǎn)品的主要技術(shù)指標

詳見表1。

5用計算機設計單片開關(guān)電源的程序流程圖

設計高性價比的開關(guān)電源，所涉及的知識面很廣。設計人員不僅要掌握各種TOPSwitch系列產(chǎn)品的工作原理和應用電路，還必須了解有關(guān)通用及特種半導體器件、模擬與數(shù)字電路、電磁兼容性、熱力學等方面的知識。按照傳統(tǒng)方法，開關(guān)電源要全部靠人工設計，不僅工作量大，效率低，而且因設計時的變量多，難于準確估算，使得設計結(jié)果與實際情況相差較大，還需多次反復修正。單片開關(guān)電源的問世，使開關(guān)電源的設計能實現(xiàn)標準化和規(guī)范化。而利用計算機來設計開關(guān)電源，還能充分發(fā)揮高科技的優(yōu)勢，極大地減輕設計人員的工作量并可實現(xiàn)最優(yōu)化設計。

開關(guān)電源的優(yōu)化設計是由三部分組成的：

（1）一組完整的程序流程圖；

（2）一套簡單實用的設計程序；

（3）一套正確的“電子數(shù)據(jù)表格”。表中的信息包括輸入數(shù)據(jù)（已知條件）、中間變量和最終結(jié)果。

圖3開關(guān)電源的基本電路

圖4設計步驟1－11的程序流程圖

圖5設計步驟12－24的程序流程圖