新穎的自動(dòng)恒流放電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

3 估算發(fā)熱

根據(jù)上述對ＩＧＢＴ的分析研究,三棱Ｈ系列ＩＧＢＴ器件―ＣＴ６０是基于第三代ＩＧＢＴ技術(shù)和續(xù)流二極管技術(shù),為功率電路設(shè)計(jì)、緩沖電路（吸收回路）設(shè)計(jì)及熱設(shè)計(jì)而采用的大功率器件。它的最大允許峰值電壓ＶＣＥＳ為１０００Ｖ;最大通過峰值電流ＩＣ為６０Ａ;Ｔ＝２５°Ｃ時(shí)ＩＧＢＴ的最大允許功耗為２５０Ｗ;Ｔ＝２５°Ｃ時(shí)ＩＧＢＴ結(jié)溫的允許范圍為－４０～１５０°Ｃ;在規(guī)定條件和額定集電極電流下,ＩＧＢＴ的飽和壓降（通態(tài)電壓）ＶＣＥ（ｓａｔ）為２．６Ｖ;開通和過渡時(shí)間ｔｄｏｎ　為０．１５μｓ;上升時(shí)間ｔｒ?yàn)椋埃肠蹋?關(guān)斷過渡時(shí)間ｔｄｏｆｆ　為０．３μｓ;續(xù)流二極管的正向壓降ＶＥＣ為３Ｖ。

由此可知最大導(dǎo)通功耗：

ＰＳＳ＝ＶＣＥ（ｓａｔ）×ＩＣ×ｎ＝２．６×２５×０．８５＝５５．２５Ｗ

而開關(guān)損耗

ＰＳＷ＝（０．７＋６．２　×２０＝６．９×２０＝１３８Ｗ

則ＩＧＢＴ的總功耗

ＰＣ＝ＰＳＳ＋ＰＳＷ＝１９３．２５Ｗ＜２５０Ｗ（額定功耗值）

在計(jì)算了ＩＧＢＴ的總平均功耗ＰＣ＝１９３．２５Ｗ后,就可估算ＩＧＢＴ表面部分的平均結(jié)溫Ｔｊ＝Ｔｃ＋Ｐｃ×Ｒｔｈ（ｊ－ｃ）,其中Ｔｃ為環(huán)境溫度（假設(shè)環(huán)境溫度為３０°Ｃ）,Ｐｃ為總平均功耗,Ｒｔｈ（ｊ－ｃ）為標(biāo)定的結(jié)殼熱阻（查ＣＴ６０的標(biāo)定結(jié)殼熱阻為０．４°Ｃ／Ｗ）,則ＩＧＢＴ的表面平均結(jié)溫：

Ｔｊ＝Ｔｃ＋Ｐｃ×Ｒｔｈ（ｊ－ｃ）＝３０＋１９３．２５×０．４＝１０７．３°Ｃ

通過計(jì)算可知,不能忽視ＩＧＢＴ在運(yùn)行中所發(fā)生的巨大導(dǎo)通功耗和開關(guān)功耗。而這些功耗通常表現(xiàn)為熱,所以必須采用散熱器把這些熱量從功率芯片傳導(dǎo)到外部環(huán)境中去。當(dāng)把ＩＧＢＴ安裝在散熱器上時(shí),還應(yīng)注意避免安裝受力不均勻,因此使用平面度為１５０μｍ的散熱器。為了達(dá)到有效地把熱量傳導(dǎo)到外部散熱器,在傳熱界面要選擇使用在工作溫度內(nèi)性能穩(wěn)定并且在裝置壽命期內(nèi)性能不發(fā)生變化的導(dǎo)熱硅脂。

4 系統(tǒng)保護(hù)

由于實(shí)際的功率電路線路中總有寄生漏電感,當(dāng)ＩＧＢＴ被關(guān)斷時(shí),感性負(fù)載中的電流不可能立刻發(fā)生變化,該負(fù)載電感兩端產(chǎn)生阻止母線電流減少的電壓Ｖ（Ｖ＝Ｌｄｉ／ｄｔ）。它與電源電壓相迭加并以浪涌電壓的形式加在ＩＧＢＴ的兩端。在極端情況下,該浪涌電壓會(huì)超過ＩＧＢＴ的額定值Ｖｃｅｓ并導(dǎo)致它損壞。在ＩＧＢＴ功率回路中引起浪涌電壓的能量與１／２ＬｐＩ２成比例,Ｌｐ是母線的寄生電感,Ｉ是工作電流。由此可見,在使用大電流的器件時(shí)更加需要降低功率回路的電感。因此為了得到一種適合大電流工作的低母線電感電路,就需要特殊的母線結(jié)構(gòu)。有交錯(cuò)鍍銅層和絕緣層構(gòu)層的迭層母線設(shè)計(jì),可以使電感量降低。迭層母線中被絕緣層隔離的寬板用于正極和負(fù)極母線的連接,這種寬板起到了防止功率回路中寄生電感的作用。

其次,好的緩沖電路可以有效控制浪涌電壓的關(guān)斷和用續(xù)流二極管恢復(fù)浪涌電壓,用以減少功率器件的開關(guān)損耗。ＩＧＢＴ緩沖電路與傳統(tǒng)的雙極晶體管緩沖電路存在兩個(gè)方面的區(qū)別：一是ＩＧＢＴ具有強(qiáng)大的開關(guān)工作區(qū),緩沖電路只需控制瞬態(tài)電壓而不需要保護(hù)就可以抑制伴生達(dá)林頓晶體管的二次擊穿超限;二是ＩＧＢＴ常工作在比達(dá)林頓高得多的頻率范圍。三種ＩＧＢＴ緩沖電路如圖３所示。

緩沖電路“Ｂ”使用快恢復(fù)二極管可箝住瞬變電壓,從而抑制振蕩的發(fā)生。緩沖電路“Ｂ”的ＲＣ時(shí)間常數(shù),應(yīng)該設(shè)為該開關(guān)周期的約１／３（τ＝Ｔ／３＝１／３ｆ）。但對于大功率級別的ＩＧＢＴ工作,緩沖電路“Ｂ”的回路寄生電感將變得很大,以至不能有效地控制瞬變電壓。由于大功率ＩＧＢＴ電路需要極低電感量的緩沖電路,而且緩沖電路必須盡可能地聯(lián)到ＩＧＢＴ上,設(shè)計(jì)緩沖電路時(shí),得考慮二極管封裝內(nèi)的寄生電感和緩沖電容引線的寄生電感。通常,小電容并聯(lián)或二極管并聯(lián)產(chǎn)生的電感量比大的單電容或單二極管產(chǎn)生的電感量更低。

ＩＧＢＴ在運(yùn)行中會(huì)有導(dǎo)通功耗與開關(guān)功耗發(fā)生。這些功耗通常表現(xiàn)為熱,所以必須采用散熱器把這些熱量從功率芯片傳導(dǎo)到外部環(huán)境中去。如熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)不當(dāng),功率器件將過熱并導(dǎo)致?lián)p壞。導(dǎo)通損耗伴隨ＩＧＢＴ處于通態(tài)并傳導(dǎo)電流而發(fā)生。導(dǎo)通期間的總功耗是由通態(tài)飽和電壓與通態(tài)電流的乘積來計(jì)算的。在ＰＷＭ的應(yīng)用中,導(dǎo)通損耗須與占空比因子相乘,從而得到平均功率。導(dǎo)通損耗的一次近似可通過ＩＧＢＴ的額定ＶＣＥ（ｓａｔ）值與期待的器件平均電流值的乘積來得到,即ＰＳＳ＝ＶＣＥｓａｔ　×Ｉｃ。開關(guān)損耗是在ＩＧＢＴ開通與關(guān)斷過渡過程期間的功率損耗。當(dāng)ＰＷＭ信號頻率高于５ｋＨｚ時(shí),開關(guān)損耗會(huì)非常顯著,一定要在熱設(shè)計(jì)中予以考慮。得到開關(guān)損耗的最精確的方法是測量在開關(guān)過渡過程中Ｉｃ與Ｖｃｅ的波形。將此波形逐點(diǎn)相乘,從而得到功率的瞬時(shí)波形,此功率波形下面的面積就是以焦耳／脈沖為單位的開關(guān)能量,這一面積通常通過作圖積分來計(jì)算?？傞_關(guān)能量是開通與關(guān)斷過程所耗能量之和,平均開關(guān)損耗是由單脈沖總開關(guān)能量[１]與ＰＷＭ頻率相乘得到,即：平均開關(guān)功耗ＰＳＷ＝ｆＰＷＭ×[ＥＳＷ(ｏｎ)＋ＥＳＷ(ｏｆｆ)]。而總功耗為導(dǎo)通功耗與開關(guān)功耗之和,即ＰＣ＝ＰＳＳ＋ＰＳＷ。此放電系統(tǒng)也將利用該公式來估算ＩＧＢＴ器件的平均功耗。

5 ＰＣＢ的總體可靠性設(shè)計(jì)

良好的電路布局是保證設(shè)備和電路安全運(yùn)行及長壽命的重要前提,同時(shí)工藝限制也對ＰＣＢ提出了嚴(yán)格的要求,應(yīng)遵循以下幾條原則：

?ＰＣＢ可靠性設(shè)計(jì)應(yīng)做到系統(tǒng)集成化、專業(yè)化設(shè)計(jì)。總體考慮電源地線布置、去耦與排線設(shè)計(jì)。區(qū)域分配應(yīng)注意模擬電路、數(shù)字電路、功率器件的布局[２]。

?可靠的電源、地線設(shè)計(jì)應(yīng)做到模擬、數(shù)字的分別供電,減少地線公共阻抗,防止形成地線回路,同時(shí)保證一點(diǎn)接地以及電源入口的去耦設(shè)計(jì)。

該自動(dòng)恒流放電模塊可配合智能蓄電池組監(jiān)測系統(tǒng)使用,當(dāng)放電時(shí)放電電流連續(xù)可調(diào),此時(shí)智能蓄電池組監(jiān)測系統(tǒng)將監(jiān)測每節(jié)電池的電壓變化,當(dāng)有任一節(jié)電池電壓低于設(shè)定值時(shí)（或交流停電）,放電自動(dòng)停止,顯示放電時(shí)間,并予以記錄。該模塊也可單獨(dú)使用,當(dāng)放電時(shí)放電電流連續(xù)可調(diào),此時(shí)需人工監(jiān)測每節(jié)電池的電壓,控制放電模塊停止放電。本設(shè)備使用簡單,安全可靠,恒流精度高,可廣泛應(yīng)用于需要對蓄電池或電源進(jìn)行恒流負(fù)載放電的場合。