TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計
0 引言
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/181128.htmTIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計的重點是它的極限參數(shù)。設(shè)計反壓較高的大功率晶體管時,首先是如何提高晶體管的反壓,降低集電區(qū)雜質(zhì)濃度NC。但由于電阻率ρC的增大,集電區(qū)體電阻上的電壓降會增大,從而使飽和壓降增大到不允許的程度。而減小 NC又會使空間電荷限制效應(yīng)發(fā)生,從而造成大電流β的急劇下降。為解決上述矛盾,設(shè)計時一般采用外延結(jié)構(gòu)。
事實上,TIP41C 低頻大功率平面晶體管在設(shè)計上應(yīng)采用深擴散、厚基區(qū)、大面積寬電極等結(jié)構(gòu),管芯的縱向尺寸應(yīng)比較厚,橫向尺寸應(yīng)比較寬??刂乒苄久娣e在2×2 mm2左右時,可采用覆蓋式結(jié)構(gòu)設(shè)計光刻版圖,這樣就能盡可能增加發(fā)射區(qū)周長,滿足電流要求,也能使電流分布更均勻。為此,本文給出了一種開發(fā) T1P41/2C低頻大功率平面晶體管的設(shè)計方法。
TIP41C晶體管極限參數(shù)要求如下:
PC:集電極功率耗散(Tc=25℃)為65 W
BVCEO:集電極-發(fā)射極電壓為100 V
BVEBO:發(fā)射極-基極電壓為5 V
IC:集電極電流為6A
TlP41C的直流電參數(shù)如表1所列。
2 TIP41C的設(shè)計計算
對于以上設(shè)計要求,可通過理論計算來確定TIP41C晶體管各部分的雜質(zhì)濃度及結(jié)構(gòu)尺寸。
2.1 集電結(jié)的結(jié)深和外延層電阻率的確定
若選取集電結(jié)結(jié)深xjc等于8μm,那么,根據(jù)BVCEO≥100 V,且,則有: ??紤]到余量的充分性,可取BVCEO等于280 V為設(shè)計目標(biāo)。假設(shè)基區(qū)表面雜質(zhì)濃度(硼擴)NSB為1018cm-3,而結(jié)深為8μm,那么,查表得出的外延層材料的雜質(zhì)濃度NC為2×1014cm- 3,相應(yīng)的電阻率ρc為24 Ω?cm。所以,可取外延材料的電阻率為25±1Ω?cm。
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