TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計
TIP41C的縱向和橫向結(jié)構(gòu)參數(shù)如表2所列。該芯片的工藝流程如下:
N型外延片→一次氧化→一次光刻→干氧氧化→B離子注入→深基區(qū)擴(kuò)散→二次光刻→磷預(yù)淀積→發(fā)射區(qū)擴(kuò)散→特性光刻→特性hFE測試→P吸雜(PSG) →PLTO(低溫氧化)→H2處理→三次光刻→QC檢測(hFE、BVCBO、BVCEO)→蒸鋁→四次光刻→鋁合金→QC檢測VBESAT→五次光刻 →PI膠鈍化→中測抽檢電參數(shù)→背面減薄(220μm)→蒸銀→中測測試電參數(shù)→入庫
圖2所示是TIP41C的縱向結(jié)構(gòu)圖。
由于作者所在單位的生產(chǎn)車間設(shè)計比較簡單,車間環(huán)境凈化程度不高,因此,在一次氧化、基區(qū)擴(kuò)散工藝中采用TCA工藝來對一次氧化、二次氧化過程中Na +的污染進(jìn)行有效控制,發(fā)射區(qū)擴(kuò)散采用P-吸雜工藝來控制三次氧化過程中Na+的產(chǎn)生,表面鈍化則采用PI膠工藝來保證外界環(huán)境不影響芯片表面,同時進(jìn)一步吸收、穩(wěn)定氧化層正電中心的移動,從而使芯片ICEO漏電大大減少,目前,TIP41C的電參數(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
4 結(jié)束語
大量生產(chǎn)數(shù)據(jù)表明,我司設(shè)計的TIP41C晶體管芯片生產(chǎn)成本低,芯片尺寸1.78×1.78 mm2(為目前市場最小),生產(chǎn)原材料完全采用國產(chǎn)材料,目前,該芯片的關(guān)鍵電參數(shù)(大電流特性和飽和壓降)已達(dá)到國際先進(jìn)水平,因而具有極強(qiáng)的市場競爭力。
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