雙向過壓過流保護(hù)器件NCP370 的原理及應(yīng)用

3 典型應(yīng)用
NCP370具有保護(hù)電壓下降的功能，通過該功能可使電路免受IN端反向電壓的影響。當(dāng)出現(xiàn)反向電壓時，NCP370的輸出將與輸入端斷開。
圖4所示是NCP370的典型應(yīng)用電路。

將NCP370的DIR端強制置高(>1．2 V)，且將DEV端置低(0．55 V)，NCP370便可進(jìn)入反向供電狀態(tài)，此時系統(tǒng)內(nèi)的電源可以向置于底部連接器的外設(shè)供電。而NCP370則由電池來供電，范圍為2．5～5．5 V，而且此時的OCP和熱關(guān)斷模式同樣起作用。
當(dāng)外設(shè)電阻Rlim上的電流(Ilim)高于Iocp時，流過其內(nèi)部N溝道MOS管的電流就會受到限制，這樣，NCP370就能提供從電池到外設(shè)的反向過流保護(hù)功能。由于NCP370的內(nèi)部電阻與Ilim是串聯(lián)關(guān)系，因此，當(dāng)Ilim引腳直接與GND相連時，其OCP最大，而在它們之間接入Rlim時，其OCP會減小，OCP的取值大小如表2所列。當(dāng)電流高于OCP時，其內(nèi)部的NMOS會關(guān)斷，且／FIAG會置低，同時NCP370會通知微控制器來對故障進(jìn)行處理，并禁止反向充電模式。

通過NCP370內(nèi)部的熱關(guān)斷保護(hù)電路，可在溫度過高時關(guān)斷內(nèi)部MOSFET，從而及時為器件降溫。NCP370所允許的最高熱關(guān)斷值為150℃，超過這個溫度，F(xiàn)LAG就會置低，并通知MCU。但是，由于NCP370芯片還具有30℃的熱滯，因此，只有在溫度低于120℃時，其芯片內(nèi)部的MOSFET才能開啟；而在高于120℃時，NCP370會一直處于熱關(guān)斷狀態(tài)。此后，故障消除，芯片即可恢復(fù)正常工作。 NCP370在OUT端內(nèi)部集成有2個低RDS(on)的N溝道MOS管，可用以實現(xiàn)對OUT端外系統(tǒng)在過壓、負(fù)向電壓及反向電流下的保護(hù)。通常，N溝道MOS管的這種RDS(on)特性會在OUT端引入少量損耗。

4 結(jié)束語
NCP370是安森美半導(dǎo)體公司針對便攜式應(yīng)用系統(tǒng)產(chǎn)品最新推出的重要器件，該器件可為手機、數(shù)碼相機、MP3／4、個人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提供28 V的正向及負(fù)向過壓和過流保護(hù)(OVP)。此外，NCP370還提供有“反向”模式，可實現(xiàn)便攜式設(shè)備電池中反向電流的穩(wěn)流，故可廣泛用于便攜式設(shè)備底部連接器上FM收發(fā)器以及音頻和閃光等功能附件電路的供電。