晶體硅太陽電池擴散氣氛場均勻性研究
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從表4可看出，廢氣排放口離恒溫區(qū)越遠(yuǎn)，即離爐口越近，爐口的方阻片內(nèi)／片間均勻性改善越好，但廢氣排放的同時也有大量熱能的排放，在排放口區(qū)域聚集的熱能較多，因考慮到爐門的低溫(一般為小于200℃)要求，在一定程度上又限制了排放口到爐門的距離不能太近。所以，生產(chǎn)中廢氣排放口的較佳位置是在一個兩向平衡距離范圍內(nèi)。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/181202.htm
2．4 排風(fēng)量大小對爐口均勻性的影響
當(dāng)進入擴散爐石英管內(nèi)的工藝氣體總流量一定時，排風(fēng)量大小的設(shè)定直接影響擴散爐內(nèi)的氣氛場壓強變化，而氣氛場壓強又與爐內(nèi)工藝氣體的濃度相關(guān)聯(lián)．從而影響擴散的均勻性，尤其是爐口的均勻性。
通過表5分析爐口片內(nèi)極差大的具體原因，得到極差大主要是由硅片下半部分方塊電阻大造成的，而這下半部分又與排氣口最近，故采取調(diào)小排氣閥開度，增加爐內(nèi)壓強，間接地增加工藝氣體反應(yīng)時間，從而改善爐口片內(nèi)均勻性和片間均勻性。對于穩(wěn)定生產(chǎn)而言，爐內(nèi)壓強的最佳值是在一定范圍內(nèi)的，這就要求工藝反應(yīng)氣體流量與廢氣排放量需保持一個整體平衡。
3 結(jié)束語
晶體硅太陽電池的主要工藝制作過程包括制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、印刷、燒結(jié)等，每道工序的相關(guān)控制參數(shù)都直接或間接地與電池電性能參數(shù)相關(guān)聯(lián)。對于擴散工序而言，擴散的均勻性直接體現(xiàn)在硅片形成的P-N結(jié)結(jié)深差異性上，均勻性好反映出結(jié)深差異性小，反之亦然。
而不同的P-N結(jié)結(jié)深其燒結(jié)條件不一樣。從另一方面，同樣的燒結(jié)條件生產(chǎn)應(yīng)用于擴散均勻性好的在制電池片，其歐姆接觸性能、填充因子等電性能參數(shù)一致性好，最終體現(xiàn)在太陽電池的轉(zhuǎn)換效率一致性的可控性。用實驗方法分析影響晶體硅太陽電池擴散均勻性的氣氛場因素及其工藝調(diào)節(jié)優(yōu)化改善方法，在工藝調(diào)試過程中需要注意這些氣氛場因素是相互關(guān)聯(lián)影響的，一般先優(yōu)化改善均流板的均勻分流設(shè)計和廢氣排放位置因素，再綜合工藝氣體流量、排氣量等其他相關(guān)因素系統(tǒng)調(diào)整爐內(nèi)壓強平衡。通過擴散均勻性的優(yōu)化調(diào)節(jié)。可以很好地改善太陽電池的填充因子FF、并聯(lián)電阻Rsh、串聯(lián)電阻Rs和開路電壓Ucc等電性能，從而降低電池的制造成本。
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