集成功率級(jí)LED與恒流源電路一體化設(shè)計(jì)
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作者：許 萍
時(shí)間：2006-12-25
來(lái)源：半導(dǎo)體技術(shù)
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目前，功率級(jí)LED產(chǎn)品有兩種實(shí)現(xiàn)方式：一是采用單一的大面積功率級(jí)LED芯片封裝，美國(guó)、日本已經(jīng)有5W芯片的產(chǎn)品推向市場(chǎng)，需要低壓大電流的恒流驅(qū)動(dòng)電源供電，其價(jià)格也比較高；另一種是采用小功率芯片集成方式實(shí)現(xiàn)功率級(jí)LED，日本松下電工已經(jīng)開(kāi)發(fā)出20W的集成LED產(chǎn)品。然而由于功率級(jí)LED在低壓大電流條件下工作，對(duì)于遠(yuǎn)距離的恒流驅(qū)動(dòng)電源供電卻存在著線路功耗大、系統(tǒng)可靠性低等許多難以解決的技術(shù)問(wèn)題。
在承擔(dān)的國(guó)家級(jí)科技攻關(guān)項(xiàng)目中，我們將新設(shè)計(jì)的DIS1xxx系列浮壓恒流集成二極管與LED芯片通過(guò)厚膜集成電路工藝技術(shù)集成為一體，解決了集成功率級(jí)LED在使用中的恒流電源供電問(wèn)題，其電流穩(wěn)定度、溫度漂移和可靠性等技術(shù)指標(biāo)，均符合項(xiàng)目要求。
2 主要參數(shù)設(shè)計(jì)
采用單晶硅片作為基板，用雙極型集成電路工藝方法在硅片上制作二氧化硅絕緣層、鋁導(dǎo)電反光層，將多個(gè)LED芯片、SMD阻容元件和DIS1xxx 系列浮壓恒流集成芯片集成在一起。通過(guò)光刻和擴(kuò)散工藝，在單晶硅層形成反向穩(wěn)壓二極管，用于泄放靜電，以提高LED的抗靜電能力。我們?cè)O(shè)計(jì)的5W功率級(jí)集成LED，采用80個(gè)0.3mm
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