基于集成電路構(gòu)成的振蕩電路

在電子線路中，脈沖振蕩器產(chǎn)生的CP脈沖是作為標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和控制信號(hào)來(lái)使用的，它是一種頻率穩(wěn)定、脈沖寬度和幅度有一定要求的脈沖。這種振蕩器電路不需要外界的觸發(fā)而能自動(dòng)產(chǎn)生脈沖波，因此被稱為自激振蕩器。一個(gè)脈沖波系列是和這個(gè)脈沖的基本頻率相同的正炫波以及許多和這個(gè)脈沖基本頻率成整數(shù)倍的正炫波諧波合成的，所以脈沖振蕩器有時(shí)叫做多諧振蕩器。用集成電路構(gòu)成的振蕩器比用分立元件構(gòu)成的工作要可靠的多，性能穩(wěn)定。本電路匯編了用各種集成電路構(gòu)成的大量振蕩器電路。供讀者在使用時(shí)參考。
-、門(mén)電路構(gòu)成的振蕩電路
1、圖1是用CMOS與非門(mén)構(gòu)成的典型的振蕩器。當(dāng)反相器F2輸出正跳時(shí)，電容立即使F1輸入為1，輸出為0。電阻RT為CT對(duì)反相器輸出提供放通電路。當(dāng)CT放電達(dá)到F1的轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，F(xiàn)1輸出為1，F(xiàn)2輸出為0。電阻連接在F1的輸出端對(duì)CT反方向充電。當(dāng)CT被充到F1的轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，F(xiàn)1輸出為0，F(xiàn)2為1，于是形成形成周期性多諧振蕩。其振蕩周期T=2。2RtCt。電阻Rs是反相器輸入保護(hù)電阻。接入與否并不影響振蕩頻率。

2、圖2是用TTL的非門(mén)構(gòu)成的環(huán)形振蕩器。三個(gè)非門(mén)接成閉環(huán)形。假定三個(gè)門(mén)的平均傳輸延遲時(shí)間都是t，從F1輸入到F3輸出共經(jīng)過(guò)3t的延遲，Vo輸出就是Vi的輸入，所以輸出端的振蕩周期T=6t。該電路簡(jiǎn)單，但t數(shù)值一般是幾十毫微秒，所以振蕩頻率極高，最高可達(dá)8MHz。

3、圖3是用TTL非門(mén)電路組成的帶RC延時(shí)電路的RC環(huán)形振蕩器。當(dāng)a點(diǎn)由高電平跳變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，b點(diǎn)電位由低邊高，經(jīng)門(mén)2使C點(diǎn)電位由高變低，同時(shí)又經(jīng)耦合到d點(diǎn)，使d點(diǎn)電位上跳為高電平，所以門(mén)3輸出即e點(diǎn)電位為低。隨著c充電電流減少，d點(diǎn)電位逐漸降低，低到關(guān)門(mén)電壓時(shí)門(mén)3關(guān)閉，e點(diǎn)由低變高，再反饋到門(mén)1，使b點(diǎn)由高變低，d點(diǎn)下降到較負(fù)的電壓值，保證門(mén)3輸出為高。當(dāng)c放電使d點(diǎn)上升到開(kāi)門(mén)電壓時(shí)，門(mén)3打開(kāi)，e點(diǎn)又由高變低，輸出電壓Vo又回復(fù)為低電平，如此交替循環(huán)變化形成連續(xù)的自激振蕩。振蕩周期T=2.2RC。R可用作頻率微調(diào)，一般R值小于1k歐姆。RS是保護(hù)電阻。

4、圖4是用與非門(mén)構(gòu)成的晶體振蕩器。該振蕩器精度比較高，一般在10^-5，一般將其基準(zhǔn)振蕩信號(hào)作為時(shí)間基準(zhǔn)來(lái)使用。由于受晶體體積的限制，晶體振蕩器產(chǎn)生的脈沖頻率都比較到，通常是幾百KHZ~幾MKZ。要想得到頻率較低的標(biāo)準(zhǔn)脈沖，可以用脈沖分頻器。